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电阻温度系数研究及其在可靠性早期监测中应用 　　摘要：在大规模集成电路进入深亚微米时代的同时, 金属互连层在产品的可靠性方面扮演着越来越重要的角色，因此，需要对金属层进行快速的在线监测。本文对电阻温度系数的内在物理含义进行了详细论述，讨论了电阻温度系数与金属电迁移可靠性失效时间的关系，指出电阻温度系数是一个可以表征金属可靠性的敏感参数，可以用来对金属可靠性进行早期评估与在线快速监测。同时讨论了金属层测试结构的几何尺寸对电阻温度系数的影响，指出了运用电阻温度系数进行早期可靠性在线监测时需要避免测试结构的干扰。 　　关键词：电阻温度系数；电迁移；晶胞尺寸；失效时间；可靠性早期监测 　　 　　The Application of Temperature Coefficient 　　of Resistance on Reliability Early Detection 　　 　　Atman Zhao, Wei-Ting Kary Chien, Venson Chang 　　（Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai, 201203, China） 　　 　　Abstract: The reliability of metal inter-connect plays more important roles at the deep sub-micron era. This leads to the needs on more timely EM （electro-migration） reliability monitors. In this paper, we propose the use of TCR （Temperature Coefficient of Resistance） for faster EM monitors. From the physics of TCR and the good correlation between TCR EM lifetimes, we find TCR a proper parameter for such application. Due to the influence on TCR from test structure geometries, we also point out the approach to reduce monitor noise when applying our proposed method. 　　Keyword：TCR; EM; Grain size; Failure time; Reliability early detection 　　 　　1引言 　　 　　随着大规模集成电路向深次微米时代发展，制程的可控制范围将变得更加狭窄，对集成电路可靠性的要求也不断提高。集成电路制造商需要更多的在线、实时监控手段来保证生产线上的良率与产品的可靠性。由于对集成电路组件容量要求愈来愈大但相对于芯片尺寸要求愈来愈小，因此，金属互连层在产品的可靠性方面扮演着越来越重要的角色[1]。芯片级的应力迁移（Stress Migration）测试、恒温电迁移测试（Iso-thermal Electro Migration）与封装级（Package Level）的电迁移（Electro-Migration）测试是监测金属互连层可靠性的主要方法???但是他们的共同问题是需要几百甚至上千小时的测试周期，这对于快速的在线监测要求来说是不能接受的。电阻温度系数（Temperature Coefficient of Resistance）作为一个反映电阻随温度变化的参数在金属互连线的可靠性测试中被广泛使用。本文对电阻温度系数的内在含义进行了详细的阐述，指出电阻温度系数的大小与金属互连层的微观结构相关，与电迁移测试的结果具有较强的相关性。电阻温度系数可以作为一个金属互连层可靠性监测的早期参数，对工艺发展、产品验证以及在线监测进行早期预测。 　　 　　2电阻温度系数 　　 　　在半导体中，金属互连层（铝或铜）的阻值在常温附近的范围内与它的温度具有线性关系，这也是半导体测试中金属互连线经常被用来作为温度传感器的原因。半导体中用电阻温度系数来表征金属的阻值和它的温度之间的关系。电阻温度系数表示单位温度改变时，电阻值（电阻率）的相对变化。如公式（1）所示： 　　 从公式中我们可以发现，电阻温度系数并不恒定而是一个随着温度而变化的值。随着温度的增加，电阻温度系数变小。因此，我们所说的电阻温度系数都是针对特定的温度的。 　　对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说，它