LED封装工艺及生产步骤.doc.doc

? MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)亦稱 MOVPE, OMVPE, OMCVD LED磊晶上游 磊晶方式 ?液相磊晶(LPE) ?有機金屬氣相磊晶(MOCVD) ?分子束磊晶(MBE) MOCVD ( Metal Organic Chemical Vapor Deposition ) 亦稱 MOVPE , OMVPE , OMCVD MOCVD為LED業界主流機台；其優點為 ?磊晶速度快：4~5 hr ?量產能力佳：90片(紅), 1~21片(藍) ?應用領域廣：LED,LD,HBT 設備：MOCVD 攜帶氣體(Carrier Gas)：H2 清管路或反應腔氣體(Purge Gas)： N2 原料： ?基板(Substrate)：GaAs,Sapphire,InP ?有機金屬氣體(MO)如TMA, TMG, TMI ?其它反應氣體：NH3 ?氫化物(Hydride)如PH3, AsH3 ?摻質如CP2Mg, DMZn, SiH4 磊晶環境 ?高溫(750°C~1100°C) ?低壓(10~100 Torr) 磊晶(Epitaxy)： 於單晶基板上沿特定方向成長單晶晶体，並控制其厚度及摻質濃度。 基板(Substrate)： 支撐成長之單晶薄膜，厚度約300~350?m。 摻質(Doping) ： 摻入P型(N型)材料改變磊晶層中主要導電載子電洞(電子)濃度。 發光層(Active layer) ： 發光區，電子與電洞結合。 緩衝層(Buffer layer) ： 緩衝磊晶層與基板間因晶格差異而造成缺陷。  ? ? ? ? LED生产工艺及封装技术（生产步骤） 1.工艺： 　a) 清洗：采用超声波清洗PCB或LED支架，并烘干。 　b) 装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上，随后进行烧结使银胶固化。 　c)压焊：用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的，一般采用铝丝焊机。（制作白光TOP-LED需要金线焊机） 　d)封装：通过点胶，用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB板上点胶，对固化后胶体形状有严格要求，这直接关系到背光源成品的出光亮度。这道工序还将承担点荧光粉（白光LED）的任务。 　e)焊接：如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED，则在装配工艺之前，需要将LED焊接到PCB板上。 　f)切膜：用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 　g)装配：根据图纸要求，将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 　h)测试：检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。 　I)包装：将成品按要求包装、入库。 二、封装工艺 　1. LED的封装的任务 　　是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 　2. LED封装形式 　　LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。 　3. LED封装工艺流程 　4．封装工艺说明 　　1.芯片检验 　　镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill） 　　芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 　　电极图案是否完整 　　2.扩片 　　由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 　　3.点胶 　　在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 　　工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 　　由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 　 　4.备胶 　　和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。 　　5.手工刺片 　　将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和