半导体分立器件在不同温度条件下的可靠性研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 Study on the Reliability of Discrete Semiconductor Devices under Different Temperature Conditions A Dissertation Submitted to Xidian University in Candidacy for the Degree of Master in Microelectronics and Solid-State Electronics By Zhang Xiaolong Xi’an, P. R. China January 2014 西安电子科技大学 学位论文创新性声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。 本人签名： 日期 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究 生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保 留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内 容，可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，毕业后 结合学位论文研究课题再攥写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。 (保密的论文在解密后遵守此规定) 本人签名： 日期 导师签名： 日期 摘 要 摘 要 半导体分立器件作为现代电子系统的核心元件，越来越广泛的被应用到民用 以及军用产品中。如嫦娥工程中 DC/DC 电源变换器、通信接收机等就面临着极 端低温和极端高温的使用环境。再考虑到长期在电应力下工作，器件就会产生电 学参数漂移失效甚至损坏、击穿，可靠性问题日益突出。 本课题选取了 VDMOS 器件和双极型器件这两种在军用、民用领域均得到广 泛使用的典型半导体分立器件作为研究对象，考察其在极端低温条件和高温条件 下工作时的可靠性问题。主要的研究工作如下： 参考美军标和 JEDEC 标准制定低温实验方案，搭建实验硬件平台考察了中小 功率 VDMOS 和双极型器件在低温应力和电应力不同组合下的失效模式。结果表 明：与常温相比，低温下 VDMOS 器件 Vth 上升，BVDSS 降低，Ron 减小，达到失 效标准；gm 增大、ton 和 toff 降低引起放大能力和开关性能的改善；但 EAS 减小且 少数器件伴随着 Walk Out 现象存在。金封和塑封双极型器件低温下普遍存在 hFE 下降至或失去放大能力损坏。再从器件结构出发分析得出各失效模式与低温下晶 格振动减弱、载流子迁移率上升等有关，并尝试给出相关机理分析和理论模型。 研究了一种 VDMOS 器件应用中所产生的阈值电压漂移现象，并对其进行 NBTI 效应验证。通过整理样品现场故障数据，分析前期温度循环和热回流实验， 结合声扫、电镜等手段排除键合丝、封装质量因素的影响，推断该失效为芯片级 栅介质电荷缺陷激发。再设计 VDMOS 器件 NBTI 实验方案、搭建器件级 NBTI 实验硬件平台，确定负偏压高温（NBT）应力条件边界后执行实验后进行 C-V 表 征来辅助验证。通过对比二者阈值电压退化情况和 C-V 数据，最后推断激发电荷 成分可能为栅介质固定正电荷和少量界面态。 关键词：半导体分立器件 可靠性 低温 失效模式 阈值电压漂移 NBTI 半导体分立器件在不同温度条件下的可靠性研究 Abstract Abstract Discrete semiconductor devices are increasingly being applied to civilian and military products, which act as core components of modern electronic systems. DC / DC converters in ChangE project are faced with extreme temperature, for instance. Taking the long-term electrical stress at work into account, the device will generate a lot of failures such as electrical p