《第1章半导体器件完整版》教学课件.ppt

* 三、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? * 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = * 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 * B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 * 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压UCEO。 * 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 例：某一只晶体管的PCM=100mW， UCED=20V， ICM=20mA。 若UCE=2V，IC=40mA，该管子能否正常工作？ 若UCE=5V，IC=15mA，该管子能否正常工作？ * 小结 PN结的单向导电性 二极管的伏安特性 晶体管的输入特性曲线，输出特性曲线 晶体管的各项参数 * 本章作业 21页 1，3，9，11，12 请于两周后交作业 * * * 计算机系统的层次结构 1.2.1 二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于高频电路和小功率整流。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 采用扩散法制成，往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，结电容大，一般为仅作为整流管。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 (1-*) 半导体二极管图片 (1-*) (1-*) * 二、伏安特性(Volt Ampere characteristics) U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 二极管的伏安特性表达式 可用PN结伏安特性表达式表示： 硅二极管2CP10的V-I 特性 UON 锗二极管2AP15的V-I 特性 UON 正向特性 反向特性 反向击穿特性 二、温度对二极管伏安特性的影响 温度升高，正向特性左移，反向特性下移。 室温附近，温度每升高1℃，正向压降减少2—2.5mV。 室温附近，温度每升高10℃，反向电流增大一倍。 1.2.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流If (2) 反向击穿电压UBR和最大反向工作电压UR (3) 反向电流IR (4) 最高工作频率fM * 三、主要参数 1. 最大整流电流 If 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压(reverse breakdown voltage)UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压一般是UBR的一半。 * 3. 反向电流 (reverse current)IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。 * RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例1：二极管半波整流