成都三箭齐发.PDFVIP

当前文档由后花园网文自动生成，更多内容请访问 HTTP://WWW.HHYWW.NET 中国存储芯片突破“零自制困境”,紫光南京、武汉、 成都三箭齐发 来源于:DeepTech深科技 全球 3D NAND 价格近来快速崩跌，紫光集团旗下的长江存储肩负打破国内 “零”存储自制率之重任，以”光速”的气势加入这场存储世纪大战。除了武 汉 12 寸厂进入生产，南京厂也将于年内动工，加上成都厂，紫光将先后启动 三大基地生产 3D NAND 芯片，即使合计投资金额高达 1,800 亿人民币，花十 年目标换来比肩巨人三星、东芝的机会，紫光此举看来大胆但却值得！ 大陆占全球总存储的消耗量 50 ％，但芯片自制率几乎是零，全数仰赖美 国、日本、韩国进口，紫光集团旗下的长江存储投入 3D NAND 研发近四年时间 ，今年 32 层芯片进入生产，紫光集团董事长赵伟国在南京举行的“中国芯片 发展高峰论坛 China IC Summit ”中骄傲指出，中国已有第一支采用自己自主 研发芯片所生产的U盘。 （来源：中国芯片发展高峰论坛主办方） 紫光位于武汉的 12 寸晶圆厂今年投入32 层 3D NAND 芯片生产，目前以 月产能2000 片小量生产，该生产基地规划三座大型 12 寸晶圆厂，合计单月产 能上看 30 万片。 不仅如此，紫光位于南京的半导体项目也将投入 3D NAND 芯片生产，目前 南京基地已进入整地阶段，最快将于年底前动工，同时，成都的半导体项目也 计划投入 3D NAND 芯片，合计紫光在武汉、南京、成都三大生产基地将投入 1,800 亿人民币生产 3D NAND 芯片，以冲刺经济规模的战略，换取比肩国际大 厂的契机。 看好 3D NAND 未来五年需求大好，技术瓶颈存在，紫光要用力赶上 由于全球存储芯片价格崩跌之势已现，对于紫光在此时大动作进行扩产 ，也让外界不禁担心，紫光若启动三大生产基地生产 3D NAND 芯片，会不会演 变成长期产业供过于求的危机？ 甫从华为离职加入紫光集团担任执行副总裁的楚庆独家对 DT 君分析 3D NAND后续走势看法 ，楚庆认为，无论是从供给面或是技术面来看，未来 NANDFlash 产业前景都非常乐观，今年旗舰级智能手机的存储容量是 256GB ，明年会成长到 512GB ，消耗的存储芯片越来越可观，但3D NAND技术会遇到 不小瓶颈。 他表示，去年华为因为 NAND Flash 芯片缺货造成销售额短少 40 亿美元 ，内部更因此成立战略领导小组来分析因应供给短缺的情況。 楚庆分析，虽然 3D NAND 技术不断往上迭，从 32 层迭到 64 层，但到了 96 层技术，就不会是一年密度增长一倍的速度了，等堆迭到了 128 层，之后 的发展可能是堆迭到 144 层左右，技术挑战越来越艰难，供给不会一直顺利产 出，因此，紫光对于未来五年的存储市场抱持乐观态度。 （来源：DeepTech） 对于眼前 3D NAND 产能过剩，楚庆反而认为这是短暂现象，因为现有的几 家半导体大厂包括三星、东芝都是同步发展 96 层技术，伴随技术突破，一定 会有不少产能增加，形成供过于求，但这些新产能很快就会被新增的需求吃掉 。 再者，楚庆也认为未来 3D NAND 技术从 96 层堆迭到 128 层技术后，每 一个世代的技术进展会从原本的 12 个月，拉长至 18 个月才能达到，而紫光 在存储领域也会有全新的战略来因应，外界可以拭目以待。 长江存储 Xtacking 惊艳背后的辛酸，杨士宁：选择这条路要很大勇气 今年国际存储大厂三星、东芝、美光、西部数据、SK海力士已进入 64 层 3D NAND 技术的生产，并且完成 96 层 3D NAND 技术研发，