第10章 工艺集成课件.ppt

第十章 工艺集成;本章主要内容; 对于单个MOSFET,由源,漏,栅极组成，源、漏是由同种导电类型,与衬底导电类型相反，源漏之间的电流需要在栅下感应导电沟道后才能形成，只要维持源-衬底PN结和漏-衬底PN结的反偏,MOSFET能维持自隔离。 只要金属引线经过两个MOSFET之间的区域,将会形成寄生的场效应晶体管，MOS集成电路中的隔离就是防止场区的寄生场效应晶体管开启。;MOS电路中的隔离;MOS电路中的隔离;鸟嘴效应;鸟嘴效应;界面保护的局部氧化;侧墙掩蔽隔离;浅槽隔离（STI);双极集成电路中的隔离;双极集成电路中的隔离;双极集成电路中的隔离;双极集成电路中的隔离;CMOS集成电路工艺的发展;CMOS集成电路工艺的发展;CMOS集成电路工艺的发展;定义：在硅衬底上形成的、掺杂类型与硅衬底相反的区域，使得在同一衬底上可以做N沟道和P沟道的MOSFET。 形成：离子注入或扩散 类型：n阱、p阱、双阱 偏置：p型衬底接低电压；n型衬底接高电压，阱区也需接相应的偏置，使pn始终处于反向偏置。 特点：阱区内的器件沟道掺杂浓度高，体效应强，沟道迁移率下降，输出电导下降、结电容增加。 p阱工艺易实现两种场效应晶体关键的性能匹配，适用于制备静态逻辑电路 N阱工艺易于获得高性能的nMOS器件(做在低掺杂的衬底上），常用于微处理器、DRAM等的设计 ;N阱、P阱和双阱示意图; 在逻辑电路中，希望CMOS IC中的n沟和p沟器件具有数值上相同的阈值电压，同时为了获得最大的驱动能力，阈值电压应尽可能小。多晶硅栅电极掺杂类型对于MOSFET的阈值电压控制及器件性能有重要的影响。;理想的方法;离子注入，提高了杂质扩散浓度的可控性。;自对准技术;双极集成电路的工艺集成;标准埋层双极集成电路 工艺流程示意图;其它先进的双极集成电路工艺;双层多晶硅自对准发射极和基区接触工艺的过程;以CMOS工艺为基础的 BiCMOS工艺;作 业