第6章第二节课件.ppt

6.6 CCD成像系统; 6.6.1 CCD工作原理 特点---以电荷作为信号载体，不同于大多数以电流或电压为信号载体的器件。 功能---通过电荷的存储与电荷的转移来实现光-电信号的转换和检测。 工作过程---主要是信号电荷的产生、存储、转移和检测。 CCD 特点: 1、是一种固体化器件，体积小，重量轻，工作电压和功耗低，耐冲击性好，可靠性高，寿命长。 2、具有理想的扫描线性，畸变小。 3、光电灵敏度很高, 动态检测速度快,甚至可以检测到一个光子。 4、CCD器件的光敏元间距几何位置精确，可以获得很高的定位和测量精度。; CCD有两种基本类型： 1、表面沟道CCD(简称为SCCD)------是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面转移。信号电荷在转移过程中受到表面态的影响，使转移速度和转移效率降低，不宜制成大面阵器件，工作频率一般在10MHz 以下。 2、体沟道CCD (简称为BCCD)-----是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体内沿一定方向转移。避免了表面态的影响，转移效率达到99.999 %以上, 工作频率高达100MHz 。 ; 6.6.2 电荷存贮 下面以SCCD为例，讨论CCD的基本工作原理，如图所示 ;1、在栅极G施加电压UG之前P型半导体中空穴(多数载流子)和电子的分布是均匀的。 2、当栅极施加正电压UG(此时UG小于P型半导体的阈值电压Uth)时，P型半导体中的空穴将被排斥，并在半导体中产生耗尽区。 3、UG继续增加，耗尽区将继续向半导体体内延伸。当UG大于Uth后，耗尽区的深度将与UG的大小成正比变化。此时氧化层绝缘体SiO2界面上的电势Φs(表面势Φs表征了耗尽区的深度)随之提高，以至于将P型半导体中的电子(少数载流子)吸引到表面，形成一层极薄(约10－2μm)而电荷浓度很高的反型层（导电沟道）。 4、反型层形成时的外加电压称为阈值电压Uth。; “势阱”概念-模拟电荷存贮过程 1、势阱的“深度”与栅极电压UG的关系如Φs与UG的关系。半导体中的电子在栅极电压作用下被吸引到氧化层与半导体层的交界面处，图(a)所示为空势阱情况。 ; 2、当UG大于Uth，反型层形成并继续增大，更多的P型半导体中电子(少数载流子)被吸引到反型层表面，电荷量增多，图(b)所示为势阱到2/3时，Φs收缩的情况。 3、当反型层电荷继续增加时，表面势Φs将逐渐减小，当反型层电荷足够多时，表面势Φs减小到最低值ΦF，此时，表面势不再束缚多余的电子，电子将产生“溢出”现象。因此，表面势可作为势阱深度的量度。 可以形象的说：半导体表面形成了电子的势阱，可以用来存储电子。当半导体表面存在势阱时，如果有信号电子（电荷）来到势阱或在其临近，他们便可以聚集在表面。随着信号电子来到势阱中，表面势将降低，耗尽层将减薄，我们把这个过程描述为电子逐渐填充势阱。势阱中能够容纳多少个电子，取决于势阱的“深浅”，即表面势的大小，栅电压越大，势阱越深。; 6.6.3 电荷耦合(传输) 为了理解CCD中势阱及电荷是如何从一个位置转移到另一个位置的，可观察图所示的四个彼此靠得很近的电极在加上不同电压情况下，势阱与电荷的运动规律。;1、假定开始时有一些电荷存贮在偏压为10V的第二个电极下面的深势阱里，其它电极上均加有大于阈值的较低电压(例如2V)。 2、设(a)为零时刻势阱电荷，过t1时刻后，各电极上的电压变为图(b)所示，此时第二个电极仍保持为10V，第三个电极上的电压由2V变为10V。因这两个电极靠的很紧(间隔只有几微米)，它们各自所对应势阱将合并在一起。原来在第二个电极下的电荷变为这两个电极下势阱所共有，如图(c)所示。 3、若此后电极上的电压变为图(d)，第二个电极电压由10V变为2V，第三个电极电压仍为10V，则共有的电荷转移到第三个电极下的势阱中，如图(e)所示。由此可见，势阱及电荷向右移动了一个位置。;4、通过将一定规则变化的电压加到CCD各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按一定方向移动。通常把CCD电极分为几组，并施加同样的时钟脉冲。CCD的内部结构决定了使其正常工作所需的相数。 5、图所示的结构需要三相时钟脉冲，其波形如图(f)所示。称为三相CCD。三相CCD器件的电荷耦合(传输)方式必须在三相交迭脉冲的作用下才能按一定的方向逐个单元转移。当经过一个时钟周期后，电荷包将向右转移三个电极位置，工作过程效果看类似于数字电路中的移位寄存器。 6、CCD电极间隔必须很小，电荷才能不受阻碍地从一个电极下转移到相邻电极下。为了不使间隙下方界面处出现妨碍电荷转移势垒，间隙的长度应小于3μm。;