SrTiO3薄膜在太赫兹范围内的介电可调性.docVIP

附录3： 本科生毕业设计（论文）参考文献译文本 译文出处：P. Ku?el,a
F. Kadlec, and H. Němec Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Na Slovance 2, 182 21 Prague 8,Czech Republic R. Ott, E. Hollmann, and N. Klein Forschungszentrum Jülich GmbH, cni—Center of Nanoelectronics and Information Technology, D 52425 Jülich, Germany
Received 30 June 2005; accepted 1 February 2006; published online 6 March 2006 院 系____光学与电子信息学院____ 专业班级____光电1103______________ 姓 名________刘璞_______________ 学 号____U201013409_____________ 指导教师_____凌福日________________ 2015年 4月 译文评阅 导师评语 应根据学校“译文要求”，对学生译文翻译的准确性、翻译数量以及译文的文字表述情况等做具体的评价后，再评分。 评分：___________________（百分制） 指导教师（签名）：___________________ 年 月 日 华中科技大学本科生毕业设计（论文）参考文献译文 页码 华中科技大学本科生毕业设计（论文）参考文献译文 SrTiO3薄膜在太赫兹范围内的介电可调性 摘要： 我们已经开发了一种梳状的电极结构用于将静态电场施加到铁电薄膜，使几乎所有的垂直偏振的太赫兹波能够传输。这种方法已被用于确定一种钛酸锶薄膜在蓝宝石衬底上的太赫兹时域光谱和其在2THz电场下的复介电常数。我们已经验证了在300GHz室温下施加100kv∕cm的电场会诱导薄膜介电常数产生10%左右的变化。观察1MHz到500GHZ之间的无介电色散，磁场诱导的变化归因于软模硬化。 正文： 电介质压控薄膜结构的调查研究对于发展高频率捷变微波和子太赫兹集成设备是非常重要的。例如移相器，可调滤波器，电压调谐振荡器，振幅和相位调制器。特别是介电常数高达太赫兹范围的铁电材料，具有通过温度或外部的低频电场对它进行调整的可能性。薄铁电薄膜由于低调谐偏压可调谐的应用，潜在的低生产成本，高积而变的特别有吸引力。特别是，因为毫米波频率半导体变容二极管非常容易损坏从而使得铁电薄膜成为一种具有竞争力的替代方案，并且对用于微波器件的可调谐铁电材料的审查已于日前公布。 钛酸锶（STO)是一种初期的铁电材料。这意味着，一方面，它的电介质的行为完全由软模式动力学控制，并且在另一方面由于量子波动它保持顺电下降到最低温度。这些制备高品质薄膜的可能性使钛酸锶铁电材料成为应用在可调微波组件的选择。在室温下增加微波范围内的可调性可以通过化学中锶原子由钡的取代（钡 - 锶 - 钛酸盐固溶体）或者选择一个适合外延薄膜生长的衬底从而产生拉伸应变。 这段文字说明了室温下由电场引起的钛酸锶铁薄膜的介电常数从兆赫兹到太赫兹的频率范围上发生变化。 采用脉冲激光沉积在Ceo缓冲蓝宝石衬底上制备STO薄膜样品。卢瑟福背散射和X射线分析表明313 nm厚度下误差控制在5%以内，较高的取向度以及0.3911nm的晶格常数从散装值偏离小于0.1％。通过标准的光刻和离子束的20 nm厚的钛/ 300 nm厚的金薄膜的直流磁控溅射在STO薄膜蚀刻制备的金电极。该梳状电容结构的大小为44毫米，由5米宽的黄金线由15米宽的间隙隔开。 频率在1MHz的调谐行为取决于由阻抗谱得出的叉指结构电容测量出的直流偏置电压，结果似乎是，通过观察发现随着电压的电容发生的相对变化等于介电常数的相对变化。 在太赫兹时域实验中，我们使用了多通道功放钛宝石作为飞秒激光源。通过光整流在1mm厚的ZnTe单晶上生成太赫兹探测脉冲。光电二极管发出的差分信号发送到一个与适当选择的调制模式同步的锁定放大器中，太赫兹时域技术探测平面内样品的响应，在STO层和基板之间可能存在中断层（passive layers）或是电极的影响几乎可以忽略不计。 图1.叉指电容器结构的电子显微镜扫描照片 图.2.太赫兹波:(a)无电极的样品