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一、引言门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。二、门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO）晶闸管的一种派生器件。可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。二、门极可关断晶闸管1. GTO的结构和工作原理结构：与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。图14-1 GTO的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图二、门极可关断晶闸管工作原理：与普通晶闸管一样，可以用图14-2所示的双晶体管模型来分析。 图14-2晶闸管的双晶体管模型及其工作原理由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流增益?1和?2 。 ?1+?2=1是器件临界导通的条件。二、门极可关断晶闸管GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：GTO设计?2较大，使晶体管V2控 制灵敏，易于GTO关断。普通晶闸管?1+?2≥1.15,导通饱和程度深,无法用门极负脉冲使其关断; GTO导通时?1+?2≈1.05，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。 图14-2 晶闸管的工作原理二、门极可关断晶闸管GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅接近临界饱和。GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 由上述分析我们可以得到以下结论：iGOtitttttAdrsftIA90%IA10%IA0tttttttt0123456二、门极可关断晶闸管2. GTO的动态特性开通过程：与普通晶闸管相同关断过程：与普通晶闸管有所不同储存时间ts，使等效晶体管退出饱和。下降时间tf 尾部时间tt —残存载流子复合。通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。门极负脉冲电流幅值越大，ts越短;使门极负脉冲后沿缓慢tt阶段可以保持适当负电压,可以缩小尾部时间tt。 图14-3 GTO的开通和关断过程电流波形二、门极可关断晶闸管3. GTO的主要参数 许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数。（1）开通时间ton —— 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1~2?s，上升时间则随通态阳极电流的增大而增大。（2） 关断时间toff—— 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。下降时间一般小于2?s。不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联 。（14-1）二、门极可关断晶闸管（3）最大可关断阳极电流IATO——GTO额定电流。（4） 电流关断增益?off ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。 ?off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 三、电力晶体管术语用法：电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管）。耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。?应用20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。三、电力晶体管1. GTR的结构和工作原理图14-4 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。bi=icb空穴流ib电E子c流Ebb )i=(1+iebc)三、电力晶体管1. GTR的结构和工作原理在应用中，GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为（14-2） ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=? ib +Iceo （14-3）单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。Ic放大区饱和区ib3ib2ib1iiib1b2