带恒流源负载cs放大器仿真 实验报告.docVIP

实验一 带恒流源负载的cs放大器仿真实验报告 实验参数要求 设计一个带恒流源负载的cs放大器。已知VVD=2.7V，R=2K， 要求放大器在静态工作点附近的最大增益Avmax=80，输出电压摆幅为0.5v~2.2v，试利用仿真的方法估算MOS管的W/L，以及各管偏置电压并仿真验证。 实验原理 它的增益Av≈Gm*R-out；从上面可知，为了提高放大器的增益，我们可以增加跨导Gm（通过增加mos管的宽长比来实现），然而这样会引入一些比较大的电容，不利于小信号放大。共源共栅级的级联叫做共源共栅结构 实验步骤 设定参数PARAMETERS，令W=2u，外加电压VOUT =1.35v ,依次对MN1、MP1进行DC仿真，求的NMOS宽长比，w=28.47u，l=1.27u。PMOS宽长比，w=24.35u，l=1.27u。具体实验过程如下图依次显示。 设定参数PARAMETERS，另AC=1,因为输出电压不相符或者增益不能达到要求，所以继续修改长宽比，循环仿真。依次如下图所示。 点击运行，则可以得到放大器的波特图如下图所示，可以得到其最大增益为153，Av80,不满足设计要求。 为了达到要求，重新仿真宽长比，如下所有图过程。 仿真出MN1、MP1的宽长比，接下来进行bias point的仿真，可以看到放大器的静态工作电压和电流如下图所示： 仿真出MN1、MP1的宽长比，接下来进行bias point的仿真，可以看到放大器的静态工作电压和电流如下图所示： 仿真出MN1、MP1的宽长比，接下来进行bias point的仿真，可以看到放大器的静态工作电压和电流如下图所示： 仿真出MN1、MP1的宽长比，接下来进行bias point的仿真，可以看到放大器的静态工作电压和电流如下图所示： 仿真出MN1、MP1的宽长比，接下来进行bias point的仿真，可以看到放大器的静态工作电压和电流如下图所示，终于符合要求。 将vout作为输出端，可得放大器的瞬态特性波形图如下图所示，可以得到其静态工作电压为13.5v，符合题目输出摆幅的要求。 实验二 两级跨导放大器的设计实验报告 实验要求：利用Pspice设计一个以PMOS管做输入的两级跨导放大器，其实验参数要求人下所示： VCC=3.0V，R=2K，单位增益带宽GB5M (相位裕度PM=60) ，C=10PF，SR10V/uS，输出电压摆幅0.5v~2.5v，输入共模范围ICMR:0~1.7V，功耗Pdiss1mW，共模抑制比CMRR70dB。 实验步骤： 1、采用PMOS管做尾电流，pmos管做差动输入对管，NMOS管做负载管的差动放大器做为第一级，NMOS做输入管，PMOS做负载管的简单共源级做二级输出，下面进行各管子的宽长比反正，首先对第一级放大器的宽长比进行仿真扫描。由下往上，首先测定MN1,MN2管的宽长比。在MN1的漏源之间增加一个0.6的偏置电压，使其工作在饱和区，将MN1,MN2的宽度设定为参数，进行DC sweep，扫面范围为1u~100u,每间隔0.1u扫描一次，观察MN1,MN2管的漏极电流随宽度的变化，设置器件数据依次如下所示 电路图如下所示，，首先测定MN1,MN2管的宽长比。在MN1的漏源之间增加一个0.6的偏置电压，使其工作在饱和区，将MN1,MN2的宽度设定为参数，进行DC sweep，扫面范围为1u~100u,每间隔0.1u扫描一次，观察MN1,MN2管的漏极电流随宽度的变化，观察MN1,MN2管的漏极电流随宽度的变化依次如下图所示。同理，之后再进行MP1,MP2的宽长比仿真，首先在MP1,MP2的源极添加一个大小为2.6V的偏置电压，将其宽度设为变量，变化范围为1u~100u,每间隔0.1u记录一次，观察MP1,MP2管的漏极电流随宽度的变化依次也如下图所示。 接下来进行bias point的仿真，可以看到放大器的静态工作电压和电流如下图所示： 点击Pspicemakersadvanceddb magunitude of voltage，选择电压输出端，观察放大器的相频特性，点击Pspicemakersadvanced phase of voltage选择电压输出端，可以得到放大器的幅频特性。具体电路图如下图所示，经验证仿真结果，其单位增益贷款GB=7.290M，其所对应的相频值为122.588，满足实验要求： 差模 83.381-2.239=81.142 输出摆幅