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掺杂有机光电子器件的分析-光学工程专业论文
掺杂有机光电子器件的研究
掺杂有机光电子器件的研究
河北工业大学硕士学位论文
河北工业大学硕士学位论文
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掺杂有机光电子器件的研究
摘 要
有机发光二极管(organic light emitting diodes, OLEDs)正在成为绿色照明和平板显示的主流技术。 但在技术方面仍存在诸多问题亟待解决,如:电子注入能力弱,本征载流子浓度低,电导率低等。而 可用于 AMOLED 技术的反转底发射有机发光二极管(inverted bottom-emission organic light emitting diode, IBOLED),电子由氧化锡铟(ITO)向有机功能层的注入和传输能力比传统 OLED 更弱。因此, 提高电子的注入和传输能力对于获得高性能的 OLED 和 IBOLED 起着至关重要的作用。对电子传输材 料进行 N 型掺杂是提高电子注入和传输能力的有效手段之一。 我们采用苝四甲酸二酐( 3, 4, 9, 10 perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA)作为 N 型母体材料,碳酸锂(lithium carbonate, Li2CO3) 作为掺杂剂;PTCDA 相比于传统 N 型材料 4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline, Bphen)和 2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(bathocuproine, BCP),价格更低廉,热稳定好且易于加 工。
研究发现碳酸锂(Li2CO3)能够在特定温度和压强下分解出氧化锂(Li2O)和氧气(O2)等,在超 高真空度下热蒸镀,阴极Al可以将分解出的Li2O还原为Li原子,Li原子可以与N型材料PTCDA进行掺杂, 我们进一步优化了掺杂浓度,制备出八羟基喹啉铝(8-quinolinolato aluminum, Alq3)作为发光层的底发 射器件,与传统Li2CO3: BCP/Al和LiF/Al结构器件相比,具有更低的驱动电压、更高得亮度及相当的功 率效率。
基于氧化锡铟(ITO)作为透明阴极和金属铝(Al)作为阳极,制备反转底发射有机发光器件,能 够与a-Si TFT(Amorphous Silicon Thin Film Transistor)驱动电路更好的结合使用,本实验采用Li2CO3: PTCDA/Li2CO3: BCP双N型掺杂层作为电子注入(传输层),制备的器件结构如下:ITO/ Li2CO3:PTCDA/ Li2CO3: BCP/ AlQ3/ NPB/ MoO3/ Al,相比于只应用Li2CO3 :BCP作为电子注入层的器件,具有更低的驱 动电压,更高的亮度及相当的功率效率。
尝试制备了Li2CO3: BCP/ MoO3和Li2CO3: PTCDA/ MoO3作为连接层的叠层器件,通过比较得出 Li2CO3: BCP/ MoO3可以做为连接层,应用于叠层器件。在此基础上进一步探索研究了应用连接层Li2CO3:
BCP/ MoO3/ MoO3: NPB(x: 1)的单极性器件,通过比较不同掺杂浓度器件性能的优劣,得出作为连接层
的最优掺杂比2:1。
关键词:OLED,碳酸锂,PTCDA,N 型掺杂,反转底发射 OLED,叠层 OLED
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Research on Doped Organic Optoelectronic Devices
ABSTRACT
Organic light-emitting diode (OLED) is becoming mainstream technology of green lighting and flat panel display. But there are still many problems to be solved, such as: lowing electron injection, lowing intrinsic carrier concentration and lowing conductivity. The IBOLED can be better used in the AMOLED, However the capacity that electron from the indium tin oxide (ITO) injection to the organic functional layer and the transmission is weaker than conventional OLED. Therefore improvi
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