掺杂对羟基氧化镍修饰n型硅光电化学传感电极的影响-物理化学专业论文.docxVIP

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2018-10-21 发布于上海
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掺杂对羟基氧化镍修饰n型硅光电化学传感电极的影响-物理化学专业论文.docx

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掺杂对羟基氧化镍修饰n型硅光电化学传感电极的影响-物理化学专业论文

山东师范大学硕士学位论文山东师范大学硕士学位论文目录目录 i 中文摘要.................................................................................................................................. I ABSTRACT...........................................................................................................................III 第 1 章引言.............................................................................................................................1 1.1 半导体材料简介........................................................................................................1 1.1.1 半导体材料.....................................................................................................1 1.1.2 半导体硅(Si)材料简介 1 1.1.3 半导体硅(Si)材料在传感器方面的应用 2 1.2 光电化学传感器........................................................................................................3 1.2.1 光电化学传感器的定义.................................................................................3 1.2.2 光电化学传感器的分类................................................................................ 3 1.3 羟基氧化镍简介..................................................................................................... 10 1.3.1 羟基氧化镍的制备.......................................................................................10 1.3.2 羟基氧化镍的应用.......................................................................................11 1.4 本文选题依据......................................................................................................... 12 参考文献............................................................................................................................... 13 第 2 章 Cd 的掺杂对羟基氧化镍修饰 n 型硅电极检测过氧化氢的影响 20 2.1 序言....................................................................................................................... 20 2.2 实验部分............................................................................................................... 21 2.2.1 试剂与材料.............................................................................