第3章 硅半导体材料基础（修订版）.ppt

（4）体缺陷 体缺陷是三堆缺陷，在三个方向上尺寸都较大，例如晶体孔晶、漩涡条纹、杂质条纹、包裹体、慢沙（由包裹体组成的层状分子）。 * 2）硅单晶位错 （1）位错生成 直拉硅单晶生长过程中，生产工艺的不良，可能使单晶产生位错。产生位错的环节和方式有下列几种情况： ①籽晶引入位错 ②单晶生长中位错 ③单晶冷却过程位错过成 （2）单晶无位错生长 纯净的籽晶、熔硅表面与单晶炉体平衡是保证单晶无位错生长的基本条件。熔硅温度变化，单晶的回熔或加快生长也可能形成位错，因此单晶的无位错生长中熔硅温度稳定是非常必要的。 * 3.4 集成电路硅衬底加工技术 集成电路硅衬底较多采用硅单晶抛光片，硅单晶抛光片的制备工艺流程比较复杂，加工工序多而长，必须严格控制每道工序的加工工质量，以能获得满足集成电路工艺技术要求、质量合格的硅单晶抛光片。图示是典型、传统的大直径硅抛光片加工工艺流程示意图（不含各道工序硅片的清洗。 典型大直径硅抛光片加工工艺流程 * 3.4.1 硅单晶抛光片的制备 硅锭在拉单晶炉中生长完成后，整型处理是接下来的第一步工艺。整型处理包括在切片之前对单晶硅锭做的所有准备步骤。 第一步是把硅锭的两端去掉。 下一步是径向研磨来产生精确的材料直径。显示了径向研磨过程。 * 对于硅片定位边或定位槽，半导体业界传统上在硅锭上做一个定位边来标明晶体结构和硅片的晶向。主定位边标明了晶体结构的晶向。还有一个次定边标明硅片晶向的导电类型。 硅片标识定位边 * 一旦整型处理完成后，硅锭就准备进行切片。这是硅锭生长后的第一个主要步骤。200mm及以上的硅片来讲，切片是用带有金刚石切割边缘的内圆切割机来完成的 。300mm的硅锭目前都是用来线锯来切片的。 线切割具有效率高、锯痕损失小的优点。缺点是：片厚不均、切割过程中智能检测控制很难实现、风险大、成本高等。 * 1.元素半导体 已知有12种元素具有半导体性质，目前使用的元素半导体主要是硅和锗。 2.化合物半导体 化合物半导体材料的种类繁多，性能各异，因此用途也就多种多样。化合物半导体按其构成的元素数量可分为二元、三元、四元等。按其构成元素在元素周期表中的位置可分为Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅳ族等。 * 3.固溶半导体 由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。因为不可能做出绝对纯的物质，材料经提纯后总要残留一定数量的杂质，而且半导体材料还要有意地掺入一定的杂质，在这些情况下，杂质与本体材料也形成固溶体，但因这些杂质的含量较低，在半导体材料的分类中不属于固溶半导体。 * 3.2 硅材料的主要性质 硅具有银白色或灰色金属光泽，晶体硬而脆，硅的外观如图3-4所示。硅熔体密度比固体密度大，故熔化后会发生体积收缩，类似于冰与水的关系。 硅的外观 * 3.2.1 硅材料的化学性质 在室温下，硅的化学性质比较稳定，与空气、水和酸均无反应，但与强酸、强碱作用，硅极易被HNO3 –HF的混合酸所溶解，因此，在硅片加工及集成电路器件工艺中，HNO3 –HF混合酸常常用作硅的腐蚀液。在高温下，硅与锗的化学活性大，可与氧、卤素、卤化氢、碳等反应。 硅与卤素或卤化氢作用可生成相应的卤化物。生成的SiCl4可作为硅外延生产的原料，生成的SiHCl3是高纯硅化学提纯的中间产物。 * 硅在高温下可与H2O、O2发生如下反应，硅平面工艺中，常用此反应制备SiO2掩蔽膜。 硅烷的活性很高，在空气中自燃，固态硅烷与液氧混合，在-190℃低温下也易发生爆炸，因其危险性，使用受到限制。 硅烷由于4个键都是Si-H键，很不稳定，易热分解。用这一特性可制取高纯硅。 * 3.2.2 硅材料的晶体结构 固体材料按其结构可以分为晶体、非晶体和准晶体。晶体中的原子在空间上作周期性排列，具有长程有序性；非晶体中粒子在空间的分布是完全无序的或仅仅具有短程有序，不具有长程的周期性；准晶体的结构介于晶体和非晶体之间。 1.晶体的共性 （1）长程有序 （2）自限性 （3）各向异性 （4）对称性 （5）固定的熔点 * 单晶、多晶和非晶体原子排列 * 2.硅晶体的金刚石结构 硅原子序数分别为14，核外电子分布为： Si—1S2 2S2 2P6 3S2 3P2 硅每个原子周围都有4个最近的原子，可与邻近的4个原子生成4个共价键，形成正四