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二维类超结LDMOS新结构研究-集成电路工程专业论文
南京邮电大学学位论文原创性声明
本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果,也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。
本人学位论文及涉及相关资料若有不实,愿意承担一切相关的法律责任。
研究生签名:__ _ _ _
日期:___ _ _ _
南京邮电大学学位论文使用授权声明
本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文 档;允许论文被查阅和借阅;可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索; 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质 论文的内容相一致。论文的公布(包括刊登)授权南京邮电大学研究生院办理。
涉密学位论文在解密后适用本授权书。
研究生签名:__ _ _ __ 导师签名:___ _ _ _ 日期:__ _ _ _
摘要
横向双扩散金属氧化物半导体(Lateral Double-diffused MOSFET, LDMOS)器件因其电 极均位于器件表面,制造工艺简单等优点在功率集成电路中得到了广泛应用。击穿电压和导 通电阻是 LDMOS 设计中需要重点考虑的关键参数,如何提升两者之间的折衷成为研究的热 点。超结思想兼具低导通电阻和高耐压的特点 。但是,将超结思想应用到横向功率器件的过 程中,存在衬底辅助耗尽效应问题,这大大恶化了器件的性能。且传统三维超结器件制造工 艺复杂,成本较高。
基于电荷平衡的思想,本文提出两类二维类超结 LDMOS 新结构,通过二维器件模拟软 件 MEDICI 对新结构的击穿电压和导通电阻与常规结构进行了对比分析 研究,同时对新结构 中影响其性能的主要参数进行了仿真分析。仿真结果表明新结构较常规结构的击穿电压和导 通电阻之间的折衷得到明显的提升。具体研究结果如下:
(1)二维类 SJ/RESURF LDMOS 器件
由 于 衬 底 辅 助 耗 尽 效 应 在 漏 端 最 为 严 重 , 新 结 构 在 漂 移 区 靠 近 漏 端 位 置 内 引 入 了 RESURF 区,从漏端对 P 柱区进行耗尽,提高了器件的击穿电压。仿真结果表明:在相同的 超结区掺杂浓度,同样的漂移区长度(25μm)下,新结构的击穿电压为 407V,而常规的二 维横向超结 LDMOS 的击穿电压为 202V。
(2)具有 P 柱区阶梯掺杂的二维类 SJ/RESURF LDMOS 器件 在器件反向耐压时,纵向电场引起的衬底辅助耗尽使得 P 柱中会出现多余电荷,且多余
电荷的浓度由源到漏逐渐增加。基于此,新结构将超结柱区中的 P 柱区进行了阶梯掺杂,掺 杂浓度从源侧到漏测逐渐降低。一方面,P 柱区将电荷掺杂浓度设计成阶梯分布可以利用缓 变结产生的新峰值电场来调节器件的表面电场,使漂移区电场均匀分布;另一方面,与以往 的 N 柱区阶梯掺杂相比,新结构采用的 P 柱区阶梯掺杂可以提高 N 柱区的掺杂浓度,降低导 通状态下的漂移区电阻。仿真结果表明:在相同的掺杂条件和漂移区长度(45μm)下,具有 P 柱区阶梯掺杂的二维类 SJ/RESURF LDMOS 器件的击穿电压达到了 743V,而 P 柱区均匀掺 杂的二维类 SJ/RESURF LDMOS 器件只有 528V。
关键词:LDMOS 器件,二维类超结,击穿电压,导通电阻
I
Abstract
Due to the advantages of surface distributed electrode, simple production process, Lateral double-diffused-metal-oxide-semiconductor(LDMOS)has been widely applied in power integrated circuits. As the key performances index of LDMOS, how to improve the trade-off between the
breakdown voltage and on-resistance are therefore becoming a popular researching area. The thought of Super-junction(SJ) imparts power devices the abilities of supporting high breakdown voltag
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