晶体二极管晶体三极管场效应晶体管本章小结整理版.ppt

　　2．输出特性 　　在 VGS 一定的条件下，漏极电流 ID 与漏源电压VDS 的关系。 　　又称变阻区， VDS 很小，若VGS不变，则 ID 基本上随 VDS 增加而线性上升，导电沟道基本不变。当 VDS 很小时， VGS 越大，沟道电阻越小，MOS 管可看成为受VDS 控制的线性电阻器。 　　（1）非饱和区 ? 　　（2）饱和区 Ⅱ 　　只要 VGS 不变， ID 基本不随 VDS 变化，趋于饱和或恒定，又称恒流区。且 ID 与 VGS 呈线性关系，又称线性放大区。 第三节　场效应晶体管 　　（3）击穿区 Ⅲ 　　当 VDS 增大到超过漏区与衬底间的PN结所能承受的极限时， ID 急剧上升，不再受 VGS 控制。 　　（4）截止区 　　① 增强型， VGS VGS(th) 导电沟道未形成。 ID = 0。 　　② 耗尽型， VGS VGS(off)导电沟道被夹断。 ID = 0。 第三节　场效应晶体管 三、MOS 管的主要参数 　　1．直流参数 　　（1）开启电压 VGS(th) 　　（2）夹断电压 VGS(off) 　　（3）饱和漏极电流 IDSS 第三节　场效应晶体管 　　栅源极间电压 VGS 与对应的栅极电流 IG 的比值，称为 MOS 管的直流输入电阻 RGS 。 　　（4）直流输入电阻RGS 　　2．交流参数 　　在漏源电压 VDS 一定时，漏极电流的变化量 ?iD 与引起这个变化的栅源电压变化量 ?VGS 的比值，即 　　（1）跨导 　　单位：?s 或 ms。 　　（2）极间电容 　　场效应晶体管三个电极之间的等效电容 CGS 、 CDS和CGD 。 第三节　场效应晶体管 　　3．极限参数 　　（2）漏源击穿电压 V(BR)DS 　　（1）漏极最大允许耗散功率 PDM 　　漏极电流 ID 开始急剧上升时所加的漏极电压 VDS 值。 　　场效应晶体管正常工作时允许耗散的最大功率。 第三节　场效应晶体管 　　与三极管相比，MOS 管具有以下特点： 　　（4）MOS 管是一种自隔离器件，它的制造工艺简单。 四、MOS 管和三极管比较 　　（1）三极管的输入电阻较小，而 MOS 管的输入电阻很大。 　　（2）MOS 管是一种单极型器件。因此，在环境变化较大的场合，采用 MOS 管比较合适。 　　（3）在小电流、低电压工作时，MOS 管漏源极间可等效为受栅源电压控制的可变电阻器和导通电阻很小、截止电阻很大的无触点电子开关。 第三节　场效应晶体管 本章小结 　　2．晶体二极管的核心是 PN 结，故具有单向导电性。二极管属于非线性器件，其伏安特性是非线性的。二极管的门坎电压，硅管约 0.5 V ，锗管约 0.2 V。导通电压，硅管约 0.7 V ，锗管约 0.3 V。 　　1．本征半导体内存在两种载流子：自由电子和空穴。杂质半导体有 P 型和 N 型两种，P 型半导体中空穴是多子，N 型半导体中自由电子是多子。PN 结是在 P 型半导体与 N 型半导体交界面附近形成的空间电荷区，也叫阻挡层或耗尽层 。PN 结具有单向导电性，即正偏时导通，反偏时截止。 　　4．MOS 管是一种电压控制器件，跨导 gm 是表征栅源电压对漏极电流的控制能力的重要参数。MOS 管的优点是：输入阻抗高、受幅射和温度影响小、集成工艺简单。超大规模集成电路主要应用 MOS 管。 　　3．晶体三极管是一种电流控制器件，它以较小的基极电流控制较大的集电极电流，以较小的基极电流变化控制较大的集电极电流变化。所谓电流放大作用，实质上就是这种“小控制大”，“小变化控制大变化”的作用。三极管有 PNP 型和 NPN 型两大类。管外有三个电极：发射极、基极和集电极；管内有两个 PN 结：发射结和集电结。使用时有三种电路组态：共发射极、共基极和共集电极组态；三种工作状态：截止状态、饱和状态和放大状态。两种基本功能：开关功能和放大功能。 第二节　晶体三极管 　　2．结构及符号 　　在一块半导体基片上制作两个极近的 PN 结，即构成三极管的管芯。两个 PN 结把整个半导体分成三部分，按排列顺序，有 NPN 型和 PNP 型两种结构。 第二节　晶体三极管 　　三极：发射极 e、基极 b、集电极 c。 　　三区：发射区、基区、集电区。 　　发射极箭头所指是发射结正偏导通时的电流方向。VT 是三极管的文字符号。 　　两结：发射结、集电结。 第二节　晶体三极管 二、三极管的工作原理 　　三极管工作时，必须给它的发射结和集电结加偏置电压。用作放大信号时，必须使发射正偏、集电结反偏。 　　1．三极管的工作电压 第二节　晶体三极管 第二节　晶体三极管 　　VBB：发射结正偏电源。 　　VT：三极管。 　　 Rc ：集电极电阻。 　　 Rb：基极偏置电阻。