2013-09-17附-光伏制造行业规范条件.docVIP

光伏制造行业规范条件 为深入贯彻落实科学发展观，引导光伏制造行业加快转 型升级，推动我国光伏产业持续健康发展，根据《国务院关 于促进光伏产业健康发展的若干意见》（国发[2013]24 号 ） 和国家有关法律法规及产业政策，按照优化布局、调整结构 、 控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，制定本规 范 条 件 。 一、生产布局与项目设立 （一）光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、 环境保护、节能管理等法律法规要求，符合国家产业政策和 相关产业规划及布局要求，符合当地土地利用总体规划、城 市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。 （二）在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人 民政府批准的基本农田保护区、饮用水水源保护区、自然保 护区、风景名胜区、重要生态功能保护区和生态环境敏感区 、 脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设 光伏制造项目。上述区域内的现有企业应逐步迁出。 （三）严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。对 加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新建和改扩建项 目，报行业主管部门及投资主管部门备案。新建和改扩建光 伏制造项目，最低资本金比例为 20%。 二、生产规模和工艺技术 1 （一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品 质量好、生产成本低的生产技术和设备。 （二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和 国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏 产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研 发机构、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工 艺改进的费用不低于总销售额的 3%且不少于 1000 万元人民 币；申报符合规范名单时上一年实际产量不低于本条第（三 ） 款产能要求的 50%。 （三）光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求： 1.多晶硅项目每期规模大于 3000 吨/年； 2.硅锭年产能不低于 1000 吨； 3.硅棒年产能不低于 1000 吨； 4.硅片年产能不低于 5000 万片； 5.晶硅电池年产能不低于 200MWp； 6.晶硅电池组件年产能不低于 200MWp； 7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。 （四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品 的要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于 2μs，电阻 率在 1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于 16 和 18PPMA；单晶硅 2 片少子寿命大于 10μs，电阻率在 1-3Ω.cm，碳、氧含量分 别小于 10 和 18PPMA； 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于 16%和 17%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于 14.5%和 15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄 膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。 （五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2 级品以上要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于 2.5μs，电 阻率在 1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于 8 和 6PPMA；单晶硅 片少子寿命大于 11μs，电阻率在 1-3Ω.cm，碳、氧含量分 别小于 8 和 6PPMA； 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于 18%和 20%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分 别不低于 16.5%和 17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效 率分别不低于 12%、12%、13%、12%。 3 （六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在 2 年 内分别不高于 3.2%和 4.2%，25 年内不高于 20%；薄膜电池 组件衰减率在 2 年内不高于 5%，25 年内不高于 20%。 三、资源综合利用及能耗 （一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土 地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。 （二）光伏制造项目能耗应满足以下要求： 1.现有多晶硅项目还原电耗小于 80 千瓦时/千克，综合 电耗小于 140 千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小 于 60 千瓦时/千克，综合电耗小于 100 千瓦时/千克； 2.现有硅锭项目平均综合能耗小于 9 千瓦时/千克，新 建和改扩建项目小于 7 千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生 产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不 得超过 0.5 千瓦时/千克； 3.现有硅棒项目平均综合能耗小于 50 千瓦时/千克，新 建和改扩建项目小于 45 千瓦时/千克； 4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于 60 万千瓦时/百 万片，新建和改扩建项目小