第四章晶体缺陷-精选（公开课件）.pptVIP

第四章 晶体缺陷 在晶体内部原子排列并不是完全规则的，在局部一定尺寸范围内原子排列不规则的现象称为晶体缺陷，晶体缺陷在材料组织控制（如扩散、相变）和性能控制（如材料强化）中具有重要作用。就好象维纳斯“无臂”之美更深入人心 晶体缺陷赋予材料丰富内容 第四章 晶体缺陷 第一节 点缺陷 第一节 点缺陷 第一节 点缺陷 空位的引入，一方面由于弹性畸变使晶体内能增加；另一方面又使晶体中混乱度增加，使熵增加。） 原因：晶体中形成点缺陷时，体系内能的增加将使自由能升高，但体系熵值也增加了，这一因素又使自由能降低。其结果是在G-n曲线上出现了最低值，对应的n值即为平衡空位数。 1）晶体中空位在热力学上是稳定的，一定温度T对应一平衡浓度C 2）C与T呈指数关系，温度升高，空位浓度大大增大 3）空位形成能ΔEV大，空位浓度小 第一节 点缺陷 第一节 点缺陷 第二节 位错的基本概念 第二节 位错的基本概念 第二节 位错的基本概念 刃型位错结构的特点 1).刃型位错有一个额外的半原子面。一般把多出的半原子面在滑移面上边的称为正刃型位错，记为“┻”；而把多出在下边的称为负刃型位错，记为“┳”。其实这种正、负之分只具相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界线。它不一定是直线，也可以是折线或曲线，但它必与滑移方向相垂直，也垂直于滑移矢量， 刃型位错结构的特点 3).滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面，在其他面上不能滑移。由于在刃型位错中，位错线与滑移矢量互相垂直，因此，由它们所构成的平面只有一个。 4).晶体中存在刃型位错之后，位错周围的点阵发生弹性畸变，既有切应变，又有正应变。就正刃型位错而言，滑移面上方点阵受到压应力，下方点阵受到拉应力：负刃型位错与此相反。 刃型位错结构的特点 5).在位错线周围的过渡区（畸变区）每个原子具有较大的平均能量。但该区只有几个原子间距宽，畸变区是狭长的管道，所以刃型位错是线缺陷。 第二节 位错的基本概念 第二节 位错的基本概念 螺型位错具有以下特征 1).螺型位错无额外半原子面，原子错排是呈轴对称的。 2).根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋转方向不同，螺型位错可分为右旋和左旋螺型位错。 3).螺型位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线，而且位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。 螺型位错具有以下特征 4).纯螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含螺型位错线的平面都可以作为它的滑移面。但实际上，滑移通常是在那些原子密排面上进行。 5).螺型位错线周围的点阵也发生了弹性畸变，但是，只有平行于位错线的切应变而无正应变，即不会引起体积膨胀和收缩，且在垂直于位错线的平面投影上，看不到原子的位移，看不出有缺陷。 螺型位错具有以下特征 6).螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少，故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。 3．混合位错除了上面介绍的两种基本型位错外，还有一种形式更为普遍的位错，其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度，这种位错称为混合位错。 由于位错线是已滑移区与未滑移区的边界线。因此，位错具有一个重要的性质，即一根位错线不能终止于晶体内部，而只能露头于晶体表面（包括晶界）。若它终止于晶体内部，则必与其他位错线相连接，或在晶体内部形成封闭线。形成封闭线的位错称为位错环，如图所示。图中的阴影区是滑移面上一个封闭的已滑移区。显然，位错环各处的位错结构类型也可按各处的位错线方向与滑移矢量的关系加以分析，如A，B两处是刃型位错，C，D两处是螺型位错，其他各处均为混合位错。 1．柏氏矢量的确定 柏氏矢量可以通过柏氏回路来确定。图为含有一个刃型位错的确定柏氏回路参考动画。通常确定确定该位错柏氏矢量的具体步骤如下：1).首先选定位错线的正向，例如，常规定出纸面的方向为位错线的正方向。2).在实际晶体中，从任一原子出发，围绕位错（避开位错线附近的严重畸变区）以一定的步数作一右旋闭合回路（称为柏氏回路）。3).在完整晶体中按同样的方向和步数作相同的回路，该回路并不封闭，由终点F向起点S引一矢量，使该回路闭合，这个矢量b就是实际晶体中位错的柏氏矢量。 柏氏矢量与位错线的关系 刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直，这是刃型位错的一个重要特征。 螺型位错的柏氏矢量也可按同样的方法加以确定。螺型位错的柏氏矢量与位错线平行，且规定b与 正向平行者为右螺旋位错，b与 反向平行者为左螺旋位错 至于混合位错的柏氏矢量既不垂直也不平行于位错线，而与它相交成ψ角（0＜ψ ＜π/2 ），可将其分解成垂直和平行于位错线的刃型分量（be=bsinψ）和螺型分量（bs=bcosψ）。