太阳电池的综述个人意见.docVIP

太阳电池的综述-个人意见 这两天看了一片台湾人写的一片关于不同种类的太阳电池的综述，虽 然数据有点老，但感觉挺全面而中肯.发上来学习一下：太阳能发电 前言】 由于全球气候变暖、空气污染问题己经资源日益短缺之故，太阳能发 电作为动力供应主要来源之一的可能性，已日益引起人们注目，这也是近 年来以硅晶圆为主的太阳能发电市场快速成长的原因。然而硅晶圆为主的 发电太阳能发电技术其成本毕竟高出传统电力产生的方式甚多，因此目前 市场仍只能局限子特定用途，这也因此世界上主要的研究单位，均致力于 投入太阳能相关技术的研究，企求开发出新的物质，能降低产品成本并提 升效能。 薄膜式太阳能电池由于只需使用一层极薄光电材料，相较于硅晶圆必 须维持一定厚度而言，材料使用非常少，而且由于薄膜是可使用软性基材， 泣用弹性大，如果技术能发展成熟，相信其市场面降较硅晶方式宽广很多。 基于此，薄膜式太阳能电池的发展，在上一世纪进展很快。 本文将就书中薄膜式太阳能电池，就技术面、发展潜力与可能瓶颈提 出概括论述，由于篇幅限制以及个人j疏学浅，疏漏错失之处，尚祈大家 指正。 在介绍薄膜式太阳能电池之前，首先本文想介绍目前市场上最主要产 品一一硅晶圆太阳能电池，简述其以目前能在市场居于绝对优势的原因。 硅晶圆太阳能电池】 自1954年贝尔实验室发表了具备6%光电效率的电池后，随着集成电 路的发展，此类型一直是市场的主角，其市占率未低于80%，如果只考虑 供电超过1KW的市场，更几乎是100%。究其原因大概可分为三方—、 成本与价格；二、模组的效率；三、产能规模与利用率。由于科技的进 步，包括了晶圆厚度、切割技术、晶圆尺寸，以及晶圆价格，均有长足的 改善，自1960s以来，以此类电池发电。由于科技的进步，包括了晶圆厚 度、切割技术、晶圆尺寸，以及晶圆价格，均有长足的改善，自1960s以 来，以此类电池发电，单位瓦数（watt）成本下降50倍，目前价格约为 US$2.5-3/watt。依据美国国家可再生能源实验室的报道，薄膜太阳能电池 的制造成本在过去10年亦呈大幅度下降，优势比晶圆还快，不过至今一 般而言，其价格仍高于晶圆式50%。 硅晶圆单一电池系统目前实验室光电效率已达25°%，与理论值29% 非常接近。商业化产品的光电效率自1970s以来也有长足进步，近年己达 12%。这项技术成果，相对而言，是多数薄膜技术所不及之处。 生产成本往往深受生产规模影响，太阳电池也不例外。比较硅晶圆式 与薄膜式，一般而言，目前产业规模前者约是后者10倍，因此固定成本 可大幅分摊。其次是产能利用率而言，目前硅晶圆式生产厂商，由于这几 年市场年年大幅成长，平均产能利用率约达80%,而薄膜式厂商仅约40%。 这使得硅晶圆式更具生产成本竞争力，成为市场上的一支独秀。 非晶系硅太阳能电池】Amorphous silicon solar cell 此类型光电池是发展最完整的薄膜式太阳能电池。其结构通常为p-i-n （或n-i-p）偶及型式，p层跟n层主要作为建立内部电场，I层则由非晶系 硅构成。由于非晶系硅具有更高的光吸收能力，因此I层厚度通常只有 0.2?0.5 um。其吸收光频率范围约1.1?1.7eV,不同于晶硅的l.leV, 非晶性物质不同于结晶性物质，结构均一度低，因此电子与电洞(空穴) 在材料内部传导，如距离过长，两者重合概率极高，为避免此现象发生, I层不宜过厚，但如太薄，又易造成吸光不足，为克服此困境，此类型光 电电池采用多层结构堆叠方式设计，以兼顾吸光与光电效率。 这类型光电池先天上最大的缺失在于光照使用后短时间内性能人幅 衰退，也就是所谓的SWE效应，其幅度约为15 — 35%。发生原因是因为 材料中部分未饱和硅原子，因光照射， 发生结构变化之故。前述多层堆叠方式，亦成为弥补SWE效应的一个 方式。 非晶型硅光电池的制造方式是以电离强化化学蒸镀法(PECVD)制造 硅薄膜。基材可以使用大诎积具有弹性而便宜材质，比如不锈钢、塑胶材 料等。其制程采取roll-to-mll的方式，但因蒸鑛速度缓慢，以及高品质导 电玻璃价格高，以至其总制造成本仅略低于晶型太阳能电池。至于多层式 堆叠型式，虽可提升电池效率，但同时也提高了电池成本。综合言之，在 价格上不太具竞争优势的前提下，此类型光电池年产量在过去三年仍呈现 快速成长，2003年相较于2002年成长了 113%,预期此趋势将持续下去。 为了降低制造成本，近年有人开发以VHF电离进行制膜，制程速度可 提升5倍。同时以ZnO取代SnO2作为导电玻璃材料，以降TCO成本，预 计未来制制程顺利开发成功，将可使非晶硅光电池竞争力大幅提高。展望 未来此型光电池最大的弱点在于其低光电转化效率。目前此类型光电池效 率，实验室仅约13.5%,商业模组