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内存新技术 计算机指令的存取时间主要取决于内存。对于现今的大多数计算机系统,内存的存取时间都是一个主要的制约系统性能提高的因素。因此在判断某一系统的性能时,就不能单凭内存数量的大小,还要看一看其所用内存的种类,工作速度。 内存新技术 ROM:只读存储器 RAM(Random Access Memory):随机存储器 DRAM(Dynamic RAM):动态随机存储器 PM RAM(Page Mode RAM):页模式随机存储器(即普通内存) FPM RAM(Fast Page Mode RAM):快速页模式随机存储器 EDO RAM(Extended Data Output RAM)扩充数据输出随机存储器 BEDO RAM(Burst Extended Data Output RAM):突发扩充数据输出随机存储器 SDRAM(Sychronous Dynamic RAM): 同步动态随机存储器 SRAM(Static RAM):静态随机存储器 内存新技术 Async SRAM(Asynchronous Static RAM):异步静态随机存储器 Sync Burst SRAM(Synchronous Burst Stacic RAM):同步突发静态随机存储器 PB SRAM(Pipelined Burst SRAM):管道(流水线)突发静态随机存储器 Cache:高速缓存 L2 Cache(Level 2 Cache):二级高速缓存(通常由SRAM组成) VRAM(Video RAM):视频随机存储器 CVRAM(Cached Vedio RAM):缓存型视频随机存储器 SVRAM(Synchronous VRAM):同步视频随机存储器 CDRAM(Cached DRAM):缓存型动态随机存储器 EDRAM(Enhanced DRAM):增强型动态随机存储器 3.3.5 高级的DRAM结构 1、FPM DRAM 快速页模式动态存储器,它是根据程序的局部性原理来实现的。读周期和写周期中,为了寻找一个确定的存储单元地址,首先由低电平的行选通信号RAS确定行地址,然后由低电平的列选信号CAS确定列地址。下一次寻找操作,也是由RAS选定行地址,CAS选定列地址,依此类推。 3.3.5 高级的DRAM结构 FPM RAM 快速页模式随机存储器 这里的所谓“页”,指的是DRAM芯片中存储阵列上的2048位片断。FPM RAM是最早的随机存储器,在过去一直是主流PC机的标准配置,以前我们在谈论内存速度时所说的“杠7”,“杠6”,指的即是其存取时间为70ns,60ns。60ns的FPM RAM可用于总线速度为66MHz(兆赫兹)的奔腾系统(CPU主频为100,133,166和200MHz)。 FPM RAM 快速页模式随机存储器 这里的所谓“页”,指的是DRAM芯片中存储阵列上的2048位片断。FPM RAM是最早的随机存储器,是一种在486时期被普遍应用的内存。72线、5V电压、带宽32bit、基本速度60ns以上。 60ns的FPM RAM可用于总线速度为66MHz(兆赫兹)的奔腾系统(CPU主频为100,133,166和200MHz)。 随着性能/价格比更高的EDO DRAM的出现和应用,它只好退出市场。 FPM RAM 快速页模式随机存储器 快速页模式的内存常用于视频卡,通常我们也叫它“DRAM”。其中一种经过特殊设计的内存的存取时间仅为48ns,这时我们就叫它VRAM。这种经过特殊设计的内存具有“双口”,其中一个端口可直接被CPU存取,而另一个端口可独立地被RAM“直接存取通道”存取,这样存储器的“直接存取通道”不必等待CPU完成存取就可同时工作,从而比一般的DRAM要快些。 3.3.5 高级的DRAM结构 2、CDRAMCDRAM称为带高速缓冲存储器(cache)的动态存储器,它是在通常的DRAM芯片内又集成了一个小容量的SRAM,从而使DRAM芯片的性能得到显著改进。 2、CDRAM 2、CDRAM 命中:下一次读取时,输入的行地址立即与最后读出行锁存器的内容进行11位比较。若比较相符则SRAM命中,由输入的列地址从SRAM选择某一位组送出即可。 猝发式读取:如果连续的地址高11位相同,意味着属于同一行地址,那么连续变动的9位列地址就会使SRAM中相应位组连续读出,这称为猝发式读取。 写操作? 2、CDRAM CDRAM的另外两个优点: 在SRAM读出期间可同时对DRAM阵列进行刷新; 允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作。 3.3.5 高级的DRAM结构 3、SDRAMSDRAM称为同步型动态存储器。计算机系统中的C
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