用GaN重新考虑功率密度.docVIP

用GaN重新考虑功率密度 　　当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括： 　　? 较低的RDS（on）：如表1所示，GaN的MOSFET面积为RDS（on）的一半。这直接使电路中传导损耗降低了50％。因此，您可以在设计中使用较小的散热器和更简单的热管理。 　　 　　? 较低的栅极和输出电荷：GaN提供较低的栅极电荷。与MOSFET的4nC相比，典型的中压器件具有大约1nC的栅极电荷（表2）。较低的栅极电荷使设计具有更快的导通时间和转换速率，同时减少损耗。 　　类似地，GaN具有显著较低的输出电荷（表2），这为每个设计带来双重优势。首先，开关损耗下降多达80％，结合较低的传导损耗，对功率密度有重大和积极的影响。第二，根据拓扑和应用，设计可在更高的开关频率运行高达10倍。这大大减少了磁性材料的尺寸以及设计的尺寸和占用空间，同时将整体效率提高了15%。 　　 　　? 零反向恢复：硅MOSFET在50至60 nC范围内具有典型的反向恢复电荷，具体取决于其尺寸和特性。当MOSFET关断时，体二极管中的反向恢复电荷（Qrr）产生损失，从而增加了总的系统开关损耗。这些损耗与开关频率成正比。如图1所示，较高频率下的Qrr损耗使得MOSFET在许多应用中变得不切实际。 　　 　　1. 相比GaN替代品，MOSFET的反向恢复电荷（Qrr）损耗在较高频率下要大得多。