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第四章 离子注入 离子注入技术是20世纪60年代开始发展起来的掺杂工艺,它在很多方面都优于扩散工艺.由于采用了离子注入技术,推动集成电路的发展,从而使集成电路进入了超大规模. 扩散是一个化学过程,离子注入是一个物理过程. 所谓离子注入技术，就是将需要作为掺杂剂的元素原子离化，转变为离子，并将其加速到一定能量（50--500keV）后，注入到晶片表面，以改变晶片表面的物理和化学性质。 离子注入就象用枪将子弹打入墙中一样．子弹从枪中获取是量的动量，射入到墙体内停下．离子注入过程中发生相同的情形，替代子弹的是离子，掺杂原子被离化、分离、加速形成离子束流，注入衬底Si片中，进入表面并在表面以下停下。 离子注入机 源：采用气态源、固态源，大部分氟化物PF5,AsF5,BF3 离子注入有别于扩散工艺的特点表现在以下几个方面： 1、可以用质量分析系统获得单一能量的高纯杂质原子束，没有沾污。因此，一台注入机可用于多种杂质。此外，注入过程是在真空下即在本身是清洁的气氛中进行的。 2、注入的剂量可在很宽的范围（1011－1017离子/cm2）内变化,且在此范围内精度可控制到±1％。与此相反,在扩散系统中,高浓度时杂质浓度的精度最多控制到5－10％,低浓度时比这更差。 3、离子注入时，衬底一般是保持在室温或温度不高（≤400℃），因此，可用各