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集成电路用磷铜阳极及相关问题的研究 　　摘要：随着半导体技术的发展，铜互联技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术，铜互连采用双大马士革工艺（Dual Damascene）进行电镀。集成电路用磷铜阳极在电镀过程中起着至关重要的作用，本文系统分析了磷铜阳极中磷的含量、铜的纯度、晶粒尺寸和氧含量等对集成电路电镀性能的影响。 　　关键词：集成电路；电镀；磷铜；阳极； 　　中图分类号：TQ153.1 　　 　　Phosphorized Copper Anode in ULSI and studies on related problems 　　 　　GAO Yan1,2，WANG Xin-ping1,2，HE Jing-jiang1,2，LIU Hong-bin1,2，JIANG Xuan1,2，JIANG Yu-hui1,2 　　（General Research Institute for Non-ferrous Metals, Beijing 100088，China） 　　 （GRIKIN Advanced Materials Co., Ltd., Beijing 102200，China） 　　 　　Abstract: With the development of semiconductor technology, copper interconnect is popular technology in VLSI. Damascence process is used to plate copper. The phosphorized copper anode plays an important role in plating solution. The article analyzes the Influence factors of plating quality which is the content of phosphor and oxygen, purity and grain size. 　　Key words: IC；plating；phosphorized copper；anode 　　 　　1 前言 　　 　　 电镀铜层因其具有良好的导电性、导热性和机械延展性等优点而被广泛应用于电子信息产品领域，电镀铜技术也因此渗透到了整个电子材料制造领域，从印制电路板（PCB）制造到IC 封装，再到大规模集成线路（芯片）的铜互连技术等电子领域都离不开它，因此电镀铜技术已成为现代微电子制造中必不可少的关键电镀技术之一。大规模集成电路中广泛采用电镀铜工艺，制备铜互联线。因此铜的电镀工艺，以及电镀阳极的选择越来越成为集成电路行业关注的焦点。 　　2 集成电路的电镀铜工艺及磷铜阳极 　　 　　 2.1 集成电路的电镀铜工艺 　　 在大规模集成电路行业中，由于铜的刻蚀非常困难,因此铜互连采用双嵌入式工艺,即双大马士革工艺（Dual Damascene）。该工艺是在刻好的沟槽内先溅射扩散阻挡层和铜种籽层, 然后通过电沉积（电镀）的方法在沟槽内填充铜,最后采用CMP（ 化学机械抛光） 的方法实现平坦化（图1）。 　　 电镀铜是完成铜填充的主要工艺（图1中③），该工艺要求在制备超微结构刻槽的铜连线过程中电镀铜必须具有很高的凹槽填充能力，因此就对电镀过程中的电镀阳极，电镀液，有机添加剂等的要求很高，特别是电镀用磷铜阳极的要求就更高。 　　 集成电路用磷铜阳极通常是由高纯磷铜合金构成；铜电镀液通常由硫酸铜、硫酸和水组成。在电镀溶液中,当电源加在带有铜种子层的硅片（ 阴极） 和磷铜（ 阳极） 之间时, 溶液中产生电流并形成电场。然后，磷阳极的铜发生反应转化成铜离子和电子,同时阴极也发生反应,阴极附近的铜离子与电子结合形成镀在硅片表面的铜,铜离子在外加电场的作用下,由阳极向阴极定向移动并补充阴极附近的浓度损耗,如图2所示。电镀的主要目的是在硅片上沉积一层致密、无孔洞、无缝隙和其它缺陷、分布均匀的铜。电镀后的表面应尽可能平坦, 以减少后续CMP 工艺中可能出现的凹坑和腐蚀问题[1]。 　　 　　 2.2 电镀铜工艺为何使用磷铜阳极 　　 在早期的电镀过程中，采用的是纯铜作为阳极，由于电镀液中含有硫酸，使得纯铜阳极在电镀液中溶解很快，导致电镀液中的铜离子迅速累积，失去平衡。另一方面纯铜阳极在溶解时会产生少量一价铜离子，它在镀液中很不稳定，通过歧化反应分解成为二价铜离子和微粒金属铜，在电镀过程中很容易在镀层上面成为毛刺。为消除阳极一价铜的影响，人们最早使用阳极袋，但很快便发现泥渣过多妨碍了镀液的循环。后改用无氧高导电性铜阳极（OFHC），虽然泥渣减少了，但仍不能阻止铜金属微粒的产生，于是又采用