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硅纳米线的电子结构 四川省电子学会半导体与集成技术专委会２００８年度学术年会论文集２００８年１２月 硅纳米线的电子结构 张曦 （电子科技大学微电子与固体电子学院 成都 刘诺 ６１００５４） 摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理计算了（１ｌＩ）方向氢饱和硅纳米线的电子结构特性，能带计算结果表明硅纳 米线与体硅不同，导带最小值和价带最大值均出现在Ｇ点（即ｒ点。布里渊区０００点）纳米线为直接带隙半导体，并Ｈ禁带宽度明显大于体硅。由态密度的计算结果可进一步发现导带底和价带项附近的能带主要由中心硅原子相瓦作用所致，边缘硅原予作用较小，硅氢键几乎没有作用． 关键词：能带电子态密度硅纳米线ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｏｆ（１１１）Ｓｉ ｎａｎｏｗｉｒｅｓ ＺｈａｎｇＸｉ ＬｉｕＮｕｏ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＡＢＳＴＲＡＣＴ：Ｆｉｒｓｔ—ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓ ｏｎ ａｎｄＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＵＥＳＴＣ，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００５４．Ｃｈｉｎａ） ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｈｙｄｒｏｇｅｎ－ｐａｓｓｉｖａｔｅｄＳｉ（１１１）ｎａｎｏｗｉｒｅｓ ｈａｖｅｂｅｅｎｐｅｒｆｏｒｍｅｄｗｉｔｈｉｎｄｅｎｓｉｔｙｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｔｈｅｏｒｙ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｍｉｎｉｍｕｍｏｆｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｂａｎｄａｎｄ ｔｈｅｍａｘｉｍｕｍｏｆｖａｌｅｎｃｅｂａｎｄ ａｒｅ ｂｏｔＩｌ ａｔ ｔｈｅＧ ｐｏｍ（ｔｈａｔｉｓ，Ｌ ａｒｅ Ｂｒｉｌｌｏｕｉｎ ｚｏｎｅ ０００ｐｏｉｎｔｓ）．Ｓｉｎａｎｏｗｉｒｅｓａｒｅ ｄｉｒｅｃｔｂａｎｄｇａｐｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，ｔｈｅｗｉｄｔｈｏｆｂａｎｄｇａｐｌａｒｇｅｒ．１１１ｅｅｎｄｏｆｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｂａｎｄａｎｄｔｈｅｔｏｐｏｆ ｖａｌｅｎｃｅｂａｎｄｗｅｒｅｃａｕｓｅｄｂｙ Ｋｅｙ ＷＯｒｄｓ：ＢａｎｄＳｔｒｕｃｔｕｒｅ ｃｅｎｔｅｒｓ Ｓｉａｔｏｍｓｏｆｎａｎｏｗｉｒｅｓ． ＳｉｌｉｃｏｎＮａｎｏｗｉｒｅｓ ＤｅｎｓｉｔｙｏｆＳｔａｔｅｓ １ 子类型（电子、ｎ型，空穴、Ｐ型）及其浓度并制 引言 备出硅纳米线纳米场效应晶体管，也可复合Ｐ型和ｎ型硅纳米线，例如交叉数列建立Ｐ．ｎ结来制备半导体器件。另外，用掺杂为ｎ型和Ｐ型的硅纳米线制备的纳米二极管和纳米三极管也显示了良好的整流及放大特性。因此，硅纳米线在基 硅纳米线由于具有量子限制效应等与体硅材料完全不同的优．异特性，引起了人们极大的研究兴趣。微电子器件中应用最广泛的半导体材料硅是问接带隙半导体，禁带宽度窄，仅有１．１２ｅＶ，发光效率很低，不能应用于光电器件，而硅纳米线本身就是?。种硅材料，易与现有的硅微电子工业相兼容。已有人观测到硅纳米线具有单电子效应及库仑阻塞效应，其电学特性主要由线的尺寸，几何结构及表－面特性所决定。如果能用硅纳米线制备出实用的纳米电子器件。将使硅技术的应用从微电子学领域扩展到纳米电子学领域。对未来电子器件及整个电子领域的发展将会产生不可估量的影响。虽然目前电子蚀刻工艺限制了纳米电：ｒ器件的小型化，但是硅电予器件的小型化’‘直是人们的追求目标。通过制备不同掺杂类型的硅纳米线，可以控制单晶硅纳米线中的载流 础研究和应用方面都有很好的应用前景１１Ｉ。 自从１９９８年硅纳米线制备技术取得突破后，科学家们使用化学气相沉积法，热气相沉积法、溶液法、模板法等生长方法结合其它制备一维纳米材料工艺手段成功地大量制备了硅纳米线，而且目前国内外也出现了关于纳米线电子特性的理论研究，如Ｒｕｒａｌｉｆ２１等人利用第一性原理对硅纳米线的表面重构方式进行了研究，Ｂ．Ｌｅｅｔ３Ｊ等人对硅纳米线的杨氏模量进行了研究等等。而本文则以氢饱和的硅纳米线为对缘，利用第一性原理研究了（００１）方向不同直径硅纳米线的电予结构和光学特性。 四川省电子学会半导体与集成技术专委会２００８年度学术年会论文集 ２００８年１２月 ２ 理论方法体，并且在Ｇ点（即０００点或ｒ点）出现导带最小值和价带最大值。硅纳米线变为直接带隙半 本文的计算是采用ＭａｔｅｒｉａｌＳｔｕｄｉｏ软件中的导体主要是由于有量子限制效应的作用使价带ＣＡＳＴＥＰ［引软件包完成的。它是基于密度泛函方能量减小，导带能量增大，从而带隙增加。然而法的从头算量子力学程序。它通过总能平面波腹由量子限制效应引起的能量改变在不同点是不势方法，将粒予势用赝势替代，电予与电予的相同的，它和有效质量有关。体硅电子的有效质最互作用用泛函近似，电子波函数则用平面波基组在ｒ点比在Ｘ点和Ｌ点大，根据简易有效质量腱开。山＋了：不依赖－Ｊ：经验参数。这种基于第一性理论，ｘ点和Ｌ点的能量增加比ｒ点更多１５Ｉ，所原理