半导体材料硅外延生长解析.pptxVIP

第五章 硅外延生长;外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜 外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法。 生长的这层单晶叫外延层。（厚度为几微米） ;根据外延生长方法：;根据向衬底输运外延材料的原子的方法不同; ;外延生长的特点; 利用外延片制作半导体器件，特别是化合物半导体器件绝大多数是制作在外延层上，因此外延层的质量直接影响器件的成品率和性能。一般来说外延层应满足下列要求： (1)表面应平整，光亮，没有亮点，麻坑，雾渍和滑移线等表面缺陷。 (2)晶体完整性好，位错和层错密度低。对于硅外延来说，位错密度应低于1000个／cm2，层错密度应低于10个／cm2，同时经铬酸腐蚀液腐蚀后表面仍然光亮。 (3)外延层的本底杂质浓度要低，补偿少。要求原料纯度高，系统密封性好，环境清洁，操作严格，避免外来杂质掺入外延层。 (4)对于异质外延，外延层与衬底的组分间应突变(要求组分缓变的例外)并尽量降低外延层和衬底间组分互扩散。 (5)掺杂浓度控制严格，分布均匀，使得外延层有符合要求而均匀的电阻率。不仅要求一片外延片内，而且要求同一炉内，不同炉次生长的外延片的电阻率的一致性好。 (6) 外延层的厚度应符合要求，均匀性和重复性好。 (7)有埋层的衬底上外延生长后，埋层图形畸变很小。 (8)外延片直径尽可能大，利于器件批量生产，降低成本。 (9)对于化合物半导体外延层和异质结外延热稳定性要好。 ; 5—2 硅的气相外延; 气相外延法生长Si半导体膜所用原料气体、反应式、生长温度及所属反应类型;衬底要求;组成： 氢气净化系统、气体输运及净化系统、加热设备和反应室. 根据反应室的结构，由水平式和立式，后者又分为平板式和桶式立式外延炉，外延生长时基座不断转动，故均匀性好、生产量大。 由于SiCl4等硅源的氢还原及SiH4的热分解反应的△H为正值，即提高温度有利于硅的淀积，因此反应器需要加热，加热方式主要有高频感应加热和红外辐射加热。通常在石英或不锈钢反应室内放有高纯石墨制的安放硅衬底的基座，为了保证硅外延层质量，石墨基座表面包覆着SiC或??积多晶硅膜。 ;我国目前最先进的硅外延设备;硅外延生长基本工艺;5-2-3 外延工艺顺序;原理：SiCl4+2H2 ? Si+4HCl;生长过程：;1. SiCl4浓度对生长速率的影响;2.温度对生长速率的影响;3.气流速度对生长速率的影响;4.衬底晶向的影响;气-固表面复相化学反应模型;此模型认为硅外延生长包括下列步骤: 1.反应物气体混合向反应区输运 2.反应物穿过边界层向衬底表面迁移 3.反应物分子被吸附在高温衬底表面上 4.在衬底表面发生化学反应，生成生长晶体的原子和气体副产物，原子进入晶格格点位置形成晶格点阵，实现晶体生长 5.副产物气体从表面脱附并穿过边界层向主气流中扩散 6.气体副产物和未反应的反应物，离开反应区被排出系统; 气相均质反应模型 ; 5.3 硅外延层电阻率的控制;外延层中总的载流子浓度N总可表示为 N总=N衬底±N气±N邻片±N扩散±N基座±N系统 N衬底为由衬底中挥发出来的杂质在外延生长时掺入外延层中的杂质浓度分量。 N气为外延层中来自混合气体的杂质浓度分量。 N邻片为外延层中来自相邻衬底的杂质浓度分量。 N扩散为衬底中杂质经过固相扩散进入外延层中的杂质浓度分量。 N基座为来自基座的杂质浓度分量。 N系统为来自除上述因素以外整个生长系统引入的杂质浓度分量。 式中的正负号由杂质类型决定，与衬底中杂质同类型者取正号，与衬底中杂质反型者取负号。;N气，N基座，N系统，杂质不是来源衬底片，因此称为外掺杂 N扩散，N衬底，N邻片的杂质来源于衬底片，通称为自掺杂;5-3-2外延中杂质的再分布;5－3－3 外延层生长中的自掺杂;一：减少杂质由衬底逸出 1.使用蒸发速度较小的杂质做衬底和埋层中的杂质 2.外延生长前高温加热衬底，使硅衬底表面附近形成一杂质耗尽层，再外延时杂质逸出速度减少可降低自掺杂 3.采用背面封闭技术，即将背面预先生长高纯SiO2或多晶硅封闭后再外延，可抑制背面杂质的蒸发而降低自掺杂。 4.采用低温外延技术和不含有卤原子的硅源。 5.采用二段外延生长技术 即先生长一段很短时间的外延层，然后停止供源，只通氢气驱除贮存在停滞层中的杂质，再开始生长第二段外延层，直到达到预定厚度 二：采用减压生长技术使已蒸发到气相中的杂质尽量不再进入外延层一般在1.3?103～2?104Pa的压力下进行。 ;5－3－4外延层的夹层;5－4 硅外延层的缺陷;雾状表面缺陷 ①雾圈 ②白雾 ③残迹 ④花雾;角锥体;划痕：由机械损伤引起;5.4.2外延层的内部缺陷;位错