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高 栅介质小尺寸全耗尽绝缘体上锗p 型金属氧化物半导体场效应晶体管漏源电流模型 白玉蓉 徐静平 刘璐 范敏敏 黄勇 程智翔 Modeling on drain current of high- gate dielectric fully-depleted nanoscale germanium- on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor Bai Yu-Rong Xu Jing-Ping Liu Lu Fan Min-Min Huang Yong Cheng Zhi-Xiang 引用信息Citation: Acta Physica Sinica 63, 237304 (2014) DOI: 10.7498/aps.63.237304 在线阅读View online: /10.7498/aps.63.237304 当期内容View Table of Contents: /CN/volumn/home.shtml 您可能感兴趣的其他文章 Articles you may be interested in 高k 栅介质GeOI 金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计 范敏敏, 徐静平, 刘璐, 白玉蓉, 黄勇 2014, 63(8): 087301. 全文: PDF (385KB) 柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的研究进展 柴玉华, 郭玉秀, 卞伟, 李雯, 杨涛, 仪明东, 范曲立, 解令海, 黄维 2014, 63(2): 027302. 全文: PDF (8557KB) 功率MOSFET 的负偏置温度不稳定性效应中的平衡现象 张月, 卓青青, 刘红侠, 马晓华, 郝跃 2013, 62(16): 167305. 全文: PDF (357KB) 氮氟复合注入对注氧隔离SOI 材料埋氧层内固定正电荷密度的影响 张百强, 郑中山, 于芳, 宁瑾, 唐海马, 杨志安 2013, 62(11): 117303. 全文: PDF (388KB) 柔性有机场效应晶体管研究进展 董京, 柴玉华, 赵跃智, 石巍巍, 郭玉秀, 仪明东, 解令海, 黄维 2013, 62(4): 047301. 全文: PDF (13073KB) 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 23 (2014) 237304 高栅介质小尺寸全耗尽绝缘体上锗p 型金属 氧化物半导体场效应晶体管漏源电流模型 白玉蓉 徐静平 刘璐 范敏敏 黄勇 程智翔 (华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074) ( 2014 年6 月30 日收到; 2014 年8 月1 日收到修改稿) 通过求解沟道的二维泊松方程得到沟道表面势和沟道反型层电荷, 建立了高 栅介质小尺寸绝缘体上锗 (GeOI) p 型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET) 的漏源电流解析模型. 模型包括了速度饱和效应、 迁移率调制效应和沟长调制效应, 同时考虑了栅氧化层和埋氧层与沟道界面处的界面陷阱电荷、氧化层固定 电荷对漏源电流的影响. 在饱和区和非饱和区, 漏源电流模拟结果与实验数据符合得较好, 证实了模型的正 确性和实用性. 利用建立的漏源电流模型模拟分析了器件主要结构和物理参数对跨导、漏导、截止频率和电压 增益的影响, 对GeOI PMOSFET 的设计具有一定的指导作用. 关键词: 绝缘体上锗p 型金属氧化物半导体场效应晶体管, 漏源电流模型, 跨导, 截止频率 PACS: 73.40.Qv, 85.30.De DOI: 10.7498/aps.63.237304 了埋氧层和沟道界面态密度对器件性能的重要性, 1 引 言 但未能考虑短沟道引起的二阶效应; Zhang 等12 提出了二维漏源电流模型, 全面分析了栅氧化层和 随