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Z半导体敏感元件原理与应用一 、刖g 光敏Z-元件是Z-半导体敏感元件产品系列中［3］重要 品种之一。它具有与温敏Z-元件相似的伏安特性，该元件 也具有应用电路极其简单、体积小、输出幅值大、灵敏度 高、功耗低、抗干扰能力强等特点。能提供模拟、开关和 脉冲频率三种输出信号供用户选择。用它开发出的三端 字传感器，不需要前置放大器、A/D或V/F变换器，就能与 计算机直接通讯。该元件的技术参数符合QJ/HN002-199 8 的有关规定。 磁敏Z-元件是Z-半导体敏感元件产品系列中［3］第三 个重要品种。它具有与温敏Z-元件相似的伏安特性，该元 件体积小，应用电路极其简单，在磁场的作用下，能输出 模拟信号、开关信号和脉冲频率信号，而且输出信号的幅 值大、灵敏度高、抗干扰能力强。 光敏、磁敏Z-元件及其三端数字传感器，通过光、磁 的作用，可实现对物理参数的测量、控制与报警。 二、光敏z-元件及其技术参数 图1电路符号与伏安特性 1.光敏z-元件的结构、电路符号及命名方法 光敏Z-元件是一种经过重掺杂而形成的特种PN结，是 一种正、反向伏安特性不对称的两端有源元件。 表1、光敏Z-元件的分档代号与技术参数 名称 符号 单位 岡值电压分档代号 测试条件 T=2 0° C 或 25° C 10 20 30 31 阈值电压 Vth V RL=5 kW 阈值电流 Ith mA ￡1 ￡15 ￡2 ￡3 RL=5kW 导通电压 Vf V ￡5 ￡10 ￡15 ￡20 RL=5kW 反向电流 IR mA ￡4 5 ￡45 ￡45 ￡45 E=25V 允许功耗 PM mW 100 100 1 00 100 转换时间 t ms 20 20 阈值灵敏度 Sth mV/1001x -80 -120 -150 -20 0 RL=5kW 阈值灵敏度温漂 DTth %/1001xX° CXFS 〉-4 RL:5kW Ml区灵敏度 SMI mV/lOOlx 200 350 RL=Vth/Ith Ml区灵敏度温漂 DTM 1 %/1001xX° CXFS -3 RL二Vth/Ith 反向灵敏度 SR mV/100 lx 800 E=25 V 反向灵敏度温漂 DTR %/1001xX° CXFS -l RL=510kW 图1 (a) 图1 (a)为结构示意 1(b)为电路符号。元件 引脚有标记的或尺寸较长的为“+”极。 该元件的命名方法分国内与国际两种： 国内命名法： 国际命名法 响应波长代号： 1— 2—0 光敏Z-元件的伏安特性曲线 图1 （d）为光敏Z-元件的的伏安特性曲线。在第一象 限，0P段Ml区为高阻区（几十千欧几百千欧）。pf段M2 区为负阻区，fm段M 3区为低阻区（几十千欧几百千欧）。 其中V th叫阈值电压，表示在TCC）时Z-元件两端电压的 最大值。I th叫阈值电流，是Z -元件与Vth对应的电流。 Vf叫导通电压，是M3区电压的最小值。If叫导通电流， 是对应Vf的电流，也是M3区电流的最小值。在第三象限 为反向特性，反向电流IR是在无光照时反向电压VR为25V 时测量的，其值（微安级）很小。 光敏Z-元件的分档代号与技术参数 光敏Z-元件的分档代号与技术参数见表1。其分档代 号按Vth值的大小排列。型号分二种，按其响应波长分。 目前产品波长代号皆为1。 三、光敏z-元件的光敏特性 无光照时光敏z-元件正、反向伏安特性的测量 用遮光罩把光敏z-元件罩上，即在无光照的情况下， 利用图1(C)特性测量电路测量其正、反向伏安特性，测量 电路与方法与温敏Z-元件相同［6］。 光敏Z-元件正向光敏特性 把Z-元件接在正向特性测量电路上，Z-元件放置在可 变照度的光场中。测量时照度由小到大，每次递增lOOlx, 用数字照度计校准，然后测量Z-元件的正向特性，记录不 同照度时的Vth、Ith、Vf。从测试可知，光敏Z-元件的阈 值点P(V th，Ith)随着照度的增加，一直向左偏上方向移动 如图2(a )，Vth随光照增加而增大，Vf变化较小。Vth、 Ith与照度L的关系参看图3。 光敏Z-元件的正向特性还具有光生伏特现象，Z-元件 的“正”极即光生伏特的“ + ”极。目前，光生伏特饱和电 动势为200m V左右，短路电流随光照增强而增大。当照度 为1001x5000 lx时短路电流为几微安至几十微安。 光敏Z-元件反向光敏特性 把Z-元件连接在反向特性测量电路中，并把Z-元件置 于可变光场中。改变光场照度，用数字照度计校准，测量 其反向特性，即反向电压VR与反向电流IR的关系。其特 性如图2 (b)。可以看出其反向电阻随照度增加而减小，反 向电流随光照增强而变大。 四、光敏z-元件的应用电路 光敏z-元件有与温敏z-元件相似的正、反向伏安特性， 温敏Z