用紫外激光光沉积法在半导体上直接书写高掺杂区.PDF

, 地面激光指示器的发展将创造出崭新的 另一个例子:远程指示器不仅需要输出 局面。很多新的问题必须解决。例如:指示 能量最大，而且还需要一个很难得到的高度 的空间相干性-一-其相干程度甚至以激光的 器是无声的并发射不可见光，不能被士兵的 标准来看也是非常高的。这些参数是密切相 感觉器官分辨出来。然而3 使用时粗心大意 却可能损坏光学灵敏元件。对普通步兵来说， 关而又互相冲突的。要解决这些问题p 必须 这是一个新问题。但是p 尽管存在这种复杂 在光学质量和镀膜工艺上取得重大突破。 性和对现代技术的苛求，激光指示器毕竟使 地面指示器的另一个苛刻要求是，当温 0 0 度在一32 C 到+63 C 范围时3 要防止校靶 用方便p 而且对友军安全的威胁并不比某些 镜的瞄准视线和激光器光轴之间出现误差。 别的军用器件为大。 这迫切需要发展安装光学元件的新工艺。为 译自 W. C. Wall . 3r. , W. 3. Harris; La.s旷， Focus, 1980 (3un) , 16, No. 6, 75-79. 避免激光光路中的电光元件受污染，必须考 丘治译步翔校 虑新的工业清洁处理方法。 用紫外激光光沉积法在半导体上直接书写高掺杂区 演示了在无掩模过程中以微米尺度空间控制直接掺杂 Cd 浓度可变的 I且P。读 过程利用的是在激光加热表面上以连续紫外激光光沉积这种掺杂物。 原子 Cd 的源，高纯原子Cd 被用作InP 中的 在先前的几篇研究通讯中，我们叙述了 利用激光光化学技术在半导体和绝缘体表面 F型掺杂物。用澳:甲醇抛光过的(100) 样品 上产生可控的微小沉积∞和蚀刻反应仰。这 表面用丙嗣脱脂，并在没有再作处理的情况 下就使用了。连续Ar 离子激光器的 514.5 些技术依靠低功率紫外激光器在室温条件下 毫微米输出通过一块温度-相-匹配的 ADP 主要经由气相光解产生反应。新近，曾使用 过峰值功率密度高得多的 (100 兆瓦/厘 倍频晶体3 然后与较弱的257.2 毫微米倍频 米2) 脉冲紫外激光器，结果表明:瞬时表面 过的光束一起聚焦到样品上。每一波长的强 加热效应可以和光沉积作用结合起来直接在 度可以随光学滤光片而变，和/或用改变 rrInP 上产生电阻接触(衍。在本研究简报中， 514.5 毫微米功率的方法改变。通过控制这 我们要叙述利用双波长连续波激光器，经由 两种波长强度，就有可能任意地改变表面加 一种类