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晶体硅太阳电池缺陷剖析 　　摘 要：晶体硅太阳电池的出现，为人们生活提供了新的便利，但是这种电池在使用中也存在一定缺陷。该文主要对晶体硅太阳电池缺陷进行分析，总结了晶体硅太阳电池的缺陷分类评价体系，从体系标准和缺陷类型的角度，列出常见的缺陷判定方法，然后对两种典型缺陷进行分析，主要有边缘漏电和裂纹，通过这种方式能够使相关人员更加快捷的掌握电池的具体情况，采取相应措施，确保晶体硅太阳电池的问题能够得到及时的修复，解决存在的隐患，让晶体硅太阳电池在使用中更加安全。 　　关键词：晶体硅 太阳电池 电池缺陷 　　中图分类号：TM914.4 文献标识码：A 文章编号：1674-098X（2015）04（b）-0216-01 　　太阳能是世界的新型能源，晶体硅太阳电池技术在科技发展的推动下得到了迅猛的发展。目前，在生产晶体硅太阳电池的生产中，因为制作情况和材料的原因，该电池会产生一定缺陷，下面针对晶体硅的太阳电池缺陷进行分析，并总结如下。 　　1 晶体硅太阳电池缺陷分类评价体系 　　晶体硅太阳电池有很多缺陷，相关人员为了更好的分析这种缺陷和产生原因，应采取多种分析手段，并建立一个有效的检测体系和检测程序，总结缺陷分类评价体系，从而更好在生产厂商和科研机构推广。 　　1.1 体系标准 　　首先要根据缺陷的名称和造成缺陷的原因为缺陷命名，相关人员要在测试中明确这种缺陷的主要表现，从而使使用该体系的人员能够更加快捷的确定这种缺陷的类型。缺陷的形成机理与生产工艺过程有关，这些过程能为其提供合理的解释[1]。相关人员要在缺陷的危险程度进行分析，并整合这种缺陷对电池性能以及其他方面的危害程度，在这种情况下，相关人员要也记录号缺陷出现的频率，其指标也要随着样本的增长而不断更新。相关人员分析完晶体硅太阳电池存在的缺陷，要总结缺陷机理，提出规范合理的复返建议。相关人员应根据缺陷的影响程度和面积大小，分析其是否具有一定回复力，然后对缺陷太阳电池的回收价值进行评估。 　　相关人员为了更好进行实际操作，应重点关注危害程度、缺陷出现频率和回收价值，充分整合这些内容，进行分级。在这种分级中，要以缺陷面积为主要对象，然后计算出缺陷面积的比例，并定义其大小，面积在90%以上为大，面积比例在60%～90%为较大，面积比例在30%～60%为中，面积在5%～30%为较小，面积比例小于5%为小。 　　1.2 缺陷类型 　　在研究中发现，晶体硅太阳电池主要有12种缺陷类型，其具体内容如以下几点。 　　（1）边缘漏电：晶体硅太阳电池有刻边或背结不完善，电池边缘与背面的扩散层有一定连接，容易出现漏电现象[2]。 　　（2）浆料污染：在印刷过程中，铝浆或背银会散落在电池正面，导致烧结，从而造成漏电。 　　（3）杂质污染：在电池应用过程中，其工艺生产会导致非浆杂质依附在电池表面，导致漏电。 　　（4）前电极烧结过度：这种缺陷出现的原因，主要是电极金属过于深入发射极造成的，所以引发漏电反应。 　　（5）发射极破损：电池应用失误会导致摩擦出现，在在电池表面留下划痕，影响发射极的整体性能，出现漏电。 　　（6）挂钩点：在电池应用中，等离子体增强化学气象沉积，然后在挂钩点区域造成SIN确实，从而使电极烧结过程中出现烧穿，导致漏电。 　　（7）断栅：因为印刷和硅片形状不佳的问题造成缺陷，从而导致细栅局部不连续。 　　（8）背场缺陷：电池的铝背场会出现肉眼可见的异常区域，其面积较大，这种现象会导致电池性能降低。 　　（9）网带印：在进行烧结时，因为网带污染和异常的温度，EL图中，电池出现与网带形状相同的背场缺陷低效区域一致[3]。 　　（10）裂纹：在生产硅片和制造电池的工艺，会出现多种裂纹和微裂纹，这种现象在金属电极的作用狭隘，会导致漏电，甚至击穿。 　　（11）无p-n结：因为操作失误，所以电池没有形成有效的p-n结。 　　（12）电极接触不良：因为烧结问题，在电池的前电极和发射极之间出现接触不良的现象，电阻串联的可能较高。 　　2 晶体硅太阳电池缺陷的典型分析 　　2.1 边缘漏电 　　经过测试可知，边缘漏电这种缺陷的主要特征有：在红外线的热像测试中，电池在加压后其边缘会出现明显的发热现象[4]。这种缺陷的主要原因是生产电池时，操作不当或不稳定，进而导致电池边缘的p-n结蚀不完全。电池的边缘漏电会明显降低电池的工作效率，并使电池边缘发热，减少其他组件的工作效率和寿命。这种缺陷在缺陷检测中出现的几率较低，所以能够通过在生产中进行规范化操作改善。工作人员如果发现这种缺陷，可以通过划片切割等方式进行回收处理，确保电池能够恢复正常操作水平。 　　2.2 裂纹 　　电池片中的裂纹主要有两种：一种是肉眼可见的显裂纹；另一种为肉眼不可见的微裂纹。在本