在硅CMOS上印刷GaNHEMT-化合物半导体.PDFVIP

技术 | Technology – GaN HEMT 在硅 CMOS 上印刷 GaN HEMT 利用微转印技术，通过将高性能 GaN HEMT 与高集成度硅 CMOS 集成 在一起，从而提高集成功率电子器件的效率。 Stefan Eisenbrandt 和Ralf Lerner, X-FAB 公司 当今大多数功率IC 的核心是三类硅的晶体 GaN HEMT 可以实现新的、高效的功率转换拓扑， 管——横向扩散金属- 氧化物- 半导体设计， 这对于最先进的硅基器件来说也是不可想象的。 绝缘栅双极结构，或者超结结构。所有这些器件 但是，我们暂时还不可能完全取消硅。请注 都可以处理高电压、高电流或两者同时。 意，双极CMOS-DMOS 和高压CMOS 技术已实 根据摩尔定律，将这些晶体管微型化会带来 现高水平的多样化，从而导致最高的设计复杂性。 性能的逐步改进，但代价是螺旋式的开发工作。 这些器件可用于智能功率IC ，这可实现数字控制 更好的方式是革命性的性能提升，这可以通过集 逻辑与电源负载之间的接口。通过使用单片集成 成III-V 材料来实现。 将输出功率器件定位在数字和模拟电路旁边，可 用于功率电子器件的最有前途III-V 器件之一， 以在同一芯片上组合信号处理、传感和保护电路。 是GaN HEMT。与所有形式的硅器件相比，它具 这种方法的其他好处是减少接口的数量、体积和 有出色的开关速度，并且在考虑导通电阻和击穿 电磁干扰。其结果就是提高了效率、性能和可靠性。 电压之间的折衷时也具有优势。由于这些优点， 采用化合物半导体技术的工程师也在努力实 化合物半导体 2018年第3期 25 技术 多样化。 GaN 和硅CMOS 的单片集成是将基于GaN 的晶体管与CMOS 逻辑电路结合在一起的另一种 选择。两种器件均可在同一硅衬底上制造，采用 定制的绝缘体上硅晶圆来为每种技术提供层级： 100 取向的硅用于CMOS 和111 取向的硅用 于GaN 。GaN 和硅晶体管不是垂直集成的，而是 横向并排布置。 雷神公司的一个团队开创了这种方法。为了 降低热预算，他们通过MBE 而不是MOCVD 沉 积GaN 层。为此付出的代价是较低的产能，使得 这种方法不利于大规模生长需要较厚缓冲层的更 高电压器件。 该方法的另外一些缺点是：材料不相容，例 如晶格常数和热膨胀系数的显著差异；器件限制， 图 1. 微转移印刷可以 现这些硅基础智能功率IC 类似的高级功能集成。 例如热预算和接触金属化材料对CMOS 兼容金属 在硅CMOS 晶圆上定位 G