第1章半导体二极管三极和场效应管..ppt

EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 1.5.2 三极管的电流控制作用 三极管具有电流控 制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于PNP型三极管应满足: 输出 回路 输入 回路 公 共 端 第1章 1.5 EB RB IB IE 即 VC VB VE UBC 0 UBE 0 IB UBE 0 UCE ≥ 1V 死区电压 1. 三极管的输入特性 IB = f (UBE ) UC E = 常数 1.5.3 三极管的特性曲线 第1章 1.5 EC RC IC UCE C E B UBE 输出 回路 输入 回路 公共端 EB RB IB IE IB =40μA IB =60μA UCE 0 IC IB增加 IB 减小 IB = 20μA IB = 常数 IC = f (UCE ) 2. 三极管的输出特性 第1章 1.5 IC / mA UCE /V 0 放 大 区 三极管输出特性上的三个工作区 IB= 0 μA 20μA 40 μA 截止区 饱和区 60 μA 80 μA 第1章 1.5 UCE小 IC小 共发射极接法放大电路 （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: VC VB VE 且IC=? IB 对于PNP型三极管应满足: VC VB VE 且IC=? IB RB EB EC RC IC UCE C E B IB UBE （一）放大状态 条 件 特 征 3、三极管在三个区的工作状态 IE （二） 饱和状态 集电结、发射结均反向偏置，即UBE 0 （1） IB增加时，IC基本不变， 且IC ? UC / RC （2） UCE ? 0 晶体管C、E之间相当于短路 （三） 截止状态 即UCE UBE （1） IB=0、 IC ? 0 （2） UCE ? EC 晶体管C、E之间相当于开路 共发射极接法放大电路 条 件 特 征 （1）发射结正向偏置； （2）集电结正向偏置。 条件 特 征 RB EB EC RC IC UCE C E B IB UBE IE 1.5.4 三极管的主要参数 1. 电流放大系数 (1) 直流电流放大系数 (2) 交流电流放大系数 ? = ? IC ? IB 2. 穿透电流 ICEO 3. 集电极最大允许电流 ICM 4. 集--射反相击穿电压 U(BR)CEO 5. 集电极最大允许耗散功率 PCM 极限参数 使用时不允许超过! 第1章 1.5 ? = IC IB 60μA 0 20μA 1.5 2.3 在输出特性上求 ? , ? ? = IC IB = 1.5mA 40μA = 37.5 ? = IC IB = 2.3–1.5(mA) 60 –40(μA) = 40 设UCE=6V, IB由40μA加为60μA 。 第1章 1.5 IC / mA UCE /V IB =40μA 6 ? ?? 重点： 1、三极管的三种工作状态 2、电流关系： IE=IB+IC IC=?IB 作业：1—5、 1—6、 1—9 1—4（选做） 注意：各点波形要对应画出， 否则按错误处理。 0 IB= 0 μA 20μA 40 μA 60 μA 80 μA 由三极管的极限参数确定安全工作区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 PCM曲线 第1章 1.5 IC / mA UCE /V ICEO ICM U(BR)CEO SiO2 结构示意图 1.6.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 P型硅衬底 源极S 栅极G 漏极D 1.6 绝缘栅场效应管 衬底引线B N+ N+ D B S G 符号 1. 结构和符号 第1章 1.6 SiO2 结构示意图 P型硅衬底 耗尽层 衬底引线B N+ N+ S G D UDS ID = 0 D与S之间是两个 PN结反向串联， 无论D与S之间加 什么极性的电压， 漏极电流均接近 于零。 2. 工作原理 (1) UGS =0 第1章 1.6 P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 ID = 0 (2) 0 UGS UGS(th) 由柵极指向衬底方 向的电场使空穴向 下移动,电子向上移 动,在P 型硅衬底的 上表面形成耗尽层。 仍然没有漏极电流。 UGS N+ N+ 第1章 1.6 UDS P型