电场与磁场相位相同.PPT

以三种 3 层介质为例，定义介质②中任一点的合成电场与合成磁场之比称为该点的输入波阻抗，以 Zin 表示， 已知介质②中合成电场为 Zc1 Zc2 Zc3 -l O z ① ② ③ 式中，R23 为介质②和③之间的边界上(z = 0)的反射系数，即 即 介质②中的合成磁场可以表示为 求得 在 边界上合成电场及合成磁场应该连续，得 第一条边界上总反射系数定义为 式中 对于第1层介质，第2层及第3层介质可以看作为波阻抗为 Zin(?l) 的一种介质。 上述方法的理念是，仅考虑后置介质的总体影响，不关心其内部结构 。 已知第2层介质的厚度和电磁参数以及第3介质的电磁参数即可求出输入波阻抗Zin(?l) 。 首先求出第 (n?2) 条边界处向右看的输入波阻抗 ，则对于第 (n?2) 层介质，可用波阻抗为 的介质代替第(n?1) 层及第 n 层介质。 Zc1 Zc2 Zc3 n-2 n-1 3 2 1 Zc(n-2) Zc(n-1) Zc n 依次类推，自后向前逐一计算各条边界上向后看的输入波阻抗，直至求得第一条边界上向后看的输入波阻抗后，即可计算总反射系数。 Z1 Z1 Z2 Z3 Z1 Z2 Z1 Zn Z3 Z2 Zn-1 Zn-2 Z1 Z3 Z2 Zn-2 例 设两种理想介质的波阻抗分别为Z1 与Z2 ，为了消除边界反射，在两种理想介质中间插入厚度为四分之一波长的理想介质夹层，试求夹层的波阻抗 Z 。 解 首先求出第一条边界上向右看的输入波阻抗。 Z1 Z Z2 ② ① 求得第一条边界上输入波阻抗为 为了消除反射，必须要求 ，得 考虑到 输入波阻抗的方法是一种阻抗变换方法。 这种变换仅在给定的单一频率点完全匹配，因此频带较窄。 利用四分之一波长的传输线可以实现阻抗变换，此时既可变更传输线的长度又能保证匹配。 可见，如果 为实数，输入波阻抗的变化与正切函数的变化规律一致，那么厚度为半波长或半波长整数倍的介质夹层没有阻抗变换作用。 这种介质制成的天线罩，其电磁性能十分优越。 当这种夹层置于空气中，平面波向其表面正投射时，无论夹层的厚度如何，反射现象均不可能发生。换言之，这种介质对于电磁波似乎是完全“透明”的。 如果该例中夹层介质的 ，那么，夹层的波阻抗等于真空的波阻抗。 普通介质的磁导率很难与介电常数达到同一数量级。近来研发的新型磁性材料可以接近这种需求。 7. 任意方向传播的平面波 设传播方向为eS，则与 eS 垂直的平面称为波面。 令坐标原点的电场强度为E0，则波面上 P0 点的场强应为 ? ? ? z y x d eS P0 E0 波面 ? P(x, y, z) r 令P点为波面上任一点，则该点的位置矢量 r 为 令r 与eS的夹角为 ? ，则距离 d 可以表示为 那么，P0 点的电场强度可表示为 k 称为传播矢量，其大小等于传播常数k，方向为传播方向 eS 。 若令 , 则 传播方向 eS 的方向角分别为 ? 、? 、? ，则 ? ? ? z y x d eS P0 E0 波面 ? P(x, y, z) r 上式为沿任意方向传播的平面波表达式。 若令 则 那么，电场强度又可表示为 或者 考虑到 ，求得 可见，三个分量 中只有两个是独立的。 S 理想介质中的均匀平面波满足下列方程 电场与磁场相互垂直，两者又垂直于传播方向，这些特点反映了均匀平面波具有TEM波的性质。 H E 复能流密度矢量Sc 的实部为 考虑到 ，得 试求：① 是否是均匀平面波？② 平面波的频率及波长；③ 电场强度的 y 分量 ；④ 平面波的极化特性。 例 已知真空中的平面波为TEM波，其电场强度为 式中， 为常数。 解 给定的电场强度可改写为 可见，平面波的传播方向位于 xy 平面内，因此波面平行于 z 轴。 由于场强振幅与 z 有关，因此，它是一种非均匀平面波。 根据上式求得传播常数、波长、频率分别为 x y z k 波面 因为 ，求得 。 因电