AlGaN2fGaN+HEMT高场退化效应和温度特性-研究.pdfVIP

2 AIGaN／GaNHEMT高场退化效应与温度特性研究 表1．1几种重要半导体材料的性能参数 GaN元器件不仅发热量减少，而且同极限工作温度大约为175℃的硅元器件相 比，可在超过200C的高温中工作，所以，电路的冷却系统有可能得到简化【2】。另 外，GaN器件所具有的电流密度大、导通电阻小、电子迁移率高等特点决定了其 在微波功率方面有着巨大的应用前景，AIGaN／GaNHEMT的单位毫米栅宽输出功 HEMT 率理论上可达几十瓦，远大于GaAs基微波功率器件。因此，AIGaN／GaN 必将成为微波大功率器件的发展方向。 近几年来，国内已经开展了A1GaN／GaNHEMT的研究，中科院微电子研究所 报道了蓝宝石衬底上A1GaN／GaNHEMT多指型器件的功率特性，4GHz下输出功 率密度达到2．4W／ram[31。但是，国内研究的总体水平与国外相比还有很大的差距。 国外对于A1GaN／GaN 宝石衬底上的A1GaN／GaNHEMT受散热的限制，在8GHz时输出功率密度也能达 0．151xm栅长的A1GaN／GaN HEMT也相继推 基异质结器件的频率特性相近。其他具有实用意义的AIGaN／GaN 出，已研制出在6GHz脉冲输出功率为51W的功率放大器，该器件的总栅宽为 HEMT功 8mm，．倒装在A1N基片上形成单片集成电路171。还有类似的AlGaN／GaN 率单片电路，4mm栅宽的器件在8GHz连续波输出功率为14WⅨJ。 1．1．2GaN基器件可靠性的研究现状 HEMT在高场…51 作为高温大功率和高频微波应用的重要器件，A1GaN／GaN 第一章绪论 3 HEMT 和高温【1617】下器件工作的可靠性问题需要引起关注。同时随着A1GaN／GaN 器件的发展以及广泛使用，器件在不同工作状态下的可靠性问题也很值得我们研 究【18-201。 HEMT器件在高场应力下的退化研究已经有些进 目前国际上对于A1GaN／GaN 展。对于欧姆接触和肖特基势垒的退化，许多作者对器件施加各类射频和直流应 力后测试器件的s参数，提取源、漏电阻，发现源、漏电阻不随应力试验而改变， 证明欧姆接触是稳定的。而肖特基势垒的退化现象还不统一：Koley等人【2I】用 Kelvin探针测定了加应力前后HFET表面靠近栅极处的表面势，发现加应力后表 面势升高，从而引起栅电流下降。Hasegawa等人瞄】发现应力后栅电流增大，他们 认为应力引入了势垒层的氮空位缺陷，使势垒层变薄，从而产生隧穿电流。对于 HEMT器件，大多实验观察到参数随着应力时间逐渐退化(饱和漏电和跨导减小， 栅延迟增加等)。 相对于高场应力的退化研究，目前关于A1GaN／GaNHEMT器件的温度特性的 Lee等人对比了调制掺杂器件和未掺杂器件的 研究相对较少。2004年，Chien-Chi 高温特性，发现器件结构对器件性能有着显著的影响。相同温度下，调制掺杂器 件的性能优于未掺杂的器件，但是温度稳定性并没有未掺杂器件甜231。2008年， G．Astere等人研究发现，通过重氢掺杂的方法可以提高器件的高温可靠性【24】。， 虽然国际上关于A1GaN／GaNHEMT器件的可靠性研究相对较多，但是受 AIGaN／GaN HEMT器件结构、材料质量和器件工艺等因素不同的影响，器件退化 呈现复杂的现象，因此，在提高材料和器件工艺的基础上，还需要开展更多的实