大功率IGBT并联使用的均流方法研究-电气工程专业论文.docx

Classified Index: TM393.4 U.D.C: 681.14 Dissertation for the Master’s Degree of Engineering CURRENT BALANCE STUDY FOR HIGH POWER IGBT PARALLEL USE Candidate: Tao Youguo Supervisor: Prof. Wang Yi Asst. Supervisor Senior Engineer Liu Bailu Academic Degree Applied for: Master of Engineering Specialty: Electrical Engineering Affiliation: Shenzhen Megmeet Drive Technology Co.,Ltd. Date of Defence: June, 2014 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 摘 要 绝缘栅双极晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT)等电力电子器件 及其应用技术是信息产业和传统产业之间的主要接口，是弱电控制强电的桥梁。 伴随国家大力扶持新能源和倡导节能减排等政策实施，国内外电机驱动应用场 合对大功率变频器的需求越来越多，而大功率变频器的设计中采用 IGBT 并联 的方案是目前国内所有研发公司的首选。因为 IGBT 并联使用可以使驱动器的 功率密度提高、可以更好地均衡并联个体之间的散热、可以更好的实现产品内 部结构的布局设计、同时可以使变频器有非常高的性价比。 然而，相互并联的 IGBT 之间由于存在静态与动态性能的差异，这种差异 直接导致了相互并联个体之间的工作电流不均衡，使得变频器的输出电流必须 要降额使用，降额系数通常不能被准确定量，而是根据设计和使用最差条件时 作出的假设，这种假定明显不符合产品真时的运行情况，通常为了保证产品长 期工作的可靠性，工程师一般会较高的估计 IGBT 的降额系数，这种行为导致 的直接影响就是增加了产品的设计成本和客户的使用成本。 本文在分析了大功率 IGBT 特性、工作原理及其应用的背景基础上，主要 分析了如何解决 IGBT 并联使用时静态和动态过程的不均流问题，通过分析 IGBT 的失效原因，选定市场占有率较大的国外驱动器厂家产品为参考，研究其 驱动能力的电路构成，驱动变压器的方案设计，各种逻辑电路的组织构成，优 化现有主流驱动器的硬件拓扑结构，给出被动保护的解决方案。通过实验测试 建立 IGBT 瞬态开断模型，找出 IGBT 门极电压与集-射电压和集-射电流的关系， 加入数字控制技术的优化算法控制大功率 IGBT 并联使用时开通关断特性表现， 提出主动防护的方法，通过主动防护和被动保护的结合改善了大功率 IGBT 并 联使用导致的不均流问题。 关键词：IGBT 并联；IGBT 均流；IGBT 失效；Saber 仿真 I - Abstract The power electronic devices like Insulated Gate Bipolar Transistor (hereinafter referred to as IGBT) and their application technologies are the interface between the information industry and the traditional industry and the bridge of weak current controlling strong current. With the state strongly support for the new energy and promote energy conservation policies implemented the motor drive applications need more high power drives in domestic and overseas, the application of high-power IGBT parallel program is used popular and become the RD Company mostly choice currently. Because IGBT parallel used mode can improve the drive power density, can better equilibrium t