磁控溅射制备TiAlN薄膜及其性能研究-材料工程专业论文.docx

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磁控溅射制备TiAlN薄膜及其性能研究-材料工程专业论文

万方数据 万方数据 April, 2015 西华大学学位论文独创性声明 作者郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下进行研究 工作所取得的成果。尽我所知,除文中已经注明引用内容和致谢的地方 外,本论文不包含其他个人或集体已经发表的研究成果,也不包含其他已 申请学位或其他用途使用过的成果。与我一同工作的同志对本研究所做的 贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。 若有不实之处,本人愿意承担相关法律责任。 学位论文作者签名: 指导教师签名: 日期: 日期: 西华大学学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,在校 攻读学位期间论文工作的知识产权属于西华大学,同意学校保留并向国家 有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅,西 华大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采 用影印、缩印或扫描等复印手段保存和汇编本学位论文。(保密的论文在 解密后遵守此规定) 学位论文作者签名: 指导教师签名: 日期: 日期: 西华 西华大学硕士学位论文 摘要 为了解决硬质合金在使用中出现的问题,硬质合金镀层开始登上历史舞台。TiAlN 薄膜具有硬度高、热硬性好、氧化温度高、附着力强等优点而被大量应用于各行业 中。 本文采用中频非平衡磁控溅射技术制备 TiAlN 薄膜。采用正交试验方法,研究偏 压、N2 流量、Ti/Al 及时间各试验参数对 TiAlN 薄膜力学性能的影响。旨在找出能够镀 制优良性能镀层的最佳工艺方案。以最佳试验方案下的试样为参照,研究偏压、N2 流 量、Ti/Al 三个参数对 TiAlN 薄膜表面形貌、断口形貌、薄膜成分及物相结构的影响。 通过显微硬度仪、划痕仪、金相显微镜、XRD、SEM 和 EDS 等仪器分别对薄膜的硬 度、结合力、表面形貌、物相结构、断口形貌等主要性能进行了测试分析。 以硬度和膜基结合力作为衡量 TiAlN 镀层性能优劣的标准。正交试验结果表明:偏 压、N2 流量、Ti/Al 对镀层性能影响较大,而时间对镀层性能影响甚微;就硬度而言, 随着偏压和 N2 流量的增大而先增大后减小,随着 Ti/Al 的减小呈现先增大后减小的趋 势;就膜基结合力来说,随着偏压的增大而持续增大,随着 N2 流量的升高有小范围内 的减小后持续上升,随着 Ti/Al 的减小而增大。得到了制备 TiAlN 薄膜的最佳工艺参 数:N2 流量 65ml,偏压为 30V,Ti/Al 为 2:3,时间为 250min。通过此工艺参数制得的薄 膜,厚度约为 4μm,硬度可达 3479HV,膜基结合力为 76N。 形貌和物相结构分析表明:在一定范围内,随着偏压的增加以及 Ti/Al 的减小,镀 层表面更加平整;而镀层的厚度和偏压也影响了基体与薄膜之间的分界层;EDS 研究中 发现:所制备的四组样品中 Al 原子含量均较高;随着偏压的升高,Al/Ti 逐渐下降;N2 流量也在一定程度上影响着镀层中元素含量的分布;XRD 研究中发现:四组样品中均发 现了 TiAlN 系和 TiN 的相结构,制备的 TiAlN 晶粒比基体 WC 晶粒更细。另外,TiAlN 与 TiN 的峰形相似,但衍射峰向高角度偏移。随着氮气流量和 Al 含量的增大,I(111) /I(200)也随之增大。 关键词:中频非平衡磁控溅射;TiAlN 薄膜;正交试验 I 磁控 磁控溅射制备 TiAlN 薄膜及其性能研究 Abstract Cemented carbide coating starts to be used in order to solve the cemented carbide’s problem. TiAlN film is widely used variety industry because of its high hardness, good hardness, high oxidation temperature and strong adhesion. In this paper, TiAlN film is prepared by Mid-frequency Unbalanced Magnetron Sputtering. The topic researches that bias voltage, N2, Ti/Al and time’s effect on the mechanical properties of TiAlN film in orthogonal test method in order to find the best way to prepare the best film. bias voltage, N2, Ti/Al’s effect on S

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