带隔离器的GaNHEMT宽带功率放大器-电路与系统专业论文.docx

万方数据 万方数据 Dissertation Submitted to Hangzhou Dianzi University for the Degree of Master Research on Wide Band GaN HEMT Power Amplifier with Isolation Candidate: Luan Ya Supervisor: Prof. Cheng Zhiqun March, 2015 杭州电子科技大学 学位论文原创性声明和使用授权说明 原创性 声明 本人郑重声明： 所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得 的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过 的作品或成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切相关责任。 论文作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文使用授权说明 本人完全了解杭州电子科技大学关于保留和使用学位论文的规定，即：研究生在校攻读 学位期间论文工作的知识产权单位属杭州电子科技大学。本人保证毕业离校后，发表论文或 使用论文工作成果时署名单位仍然为杭州电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件， 允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容，可以允许采用影印、缩印或其 它复制手段保存论文。（保密论文在解密后遵守此规定） 论文作者签名： 日期： 年 月 日 指导教师签名： 日期： 年 月 日 杭州电子科技大学硕士学位论文 杭州电子科技大学硕士学位论文 摘 要 本文研究了 C 波段宽带功率放大器设计的相关问题，介绍了射频功率放大器的理论基础 及功放的宽带技术，并设计了 4-8 GHz 的驱动级宽带射频功率放大器。为了改善宽带功率放 大器端口驻波系数不佳的问题，采用铁氧体 YIG 基片设计了一款 C 波段的宽带微带隔离器， 串联到放大链路输入端来改善驻波系数。与常规体积较大的隔离器不同，设计的微带隔离器 体积小，可以集成在功率放大电路中。 论文首先查阅了与本课题相关的文献资料，归纳总结了近年来国内外宽带放大器的研究 进展和成果，了解宽带功率放大器的研究现状及发展前景。同时整理了近年国内外对宽带微 带环形/隔离器的研究情况，了解隔离器的发展趋势。 其次介绍了射频放大器的工作状态及参数指标，介绍了阻抗匹配的相关知识；通过查阅 相关的文献资料，整理了目前设计宽带射频放大器常用的几种方法，并针对每一种实现宽带 方法进行简单的分析。通过对比分析，得到适合本文实现宽带功能的设计方法。 接着使用 ADS 软件设计一款 C 波段的宽带功率放大电路。采用了 TriQuint 半导体公司的 GaN HEMT 裸管 TGF2023-2-02，功率放大器工作在 AB 类，直流偏置为 Vds=28 V, Vgs=-3.6 V。 仿真结果显示，在工作带宽范围内宽带功率放大器性能良好。接下来进行加工测试，并对仿 真和测试结果进行对比和分析。 隔离器能够改善端口或者级间驻波比。查阅了相关的资料，简单介绍了铁氧体材料的分 类及隔离器的工作原理、参数指标。然后仿真并制作了 C 波段的宽带结型微带隔离器。设计 了一款 4～8 GHz 宽带微带环形器，给出了环形器的设计方法和过程，使用双 Y 结技术提高 了环形器的带宽，采用 YIG 铁氧体材料作为介质基板。使用 HFSS 对器件进行了仿真,仿真结 果表明在 3.90～9.15 GHz 范围内，插入损耗 a+＜0.5 dB，隔离度 a-＞15 dB，驻波比 VSWR ＜1.46。加工测试结果显示了良好的隔离效果。 关键词：宽带，射频功率放大器，铁氧体，旋磁效应，微带隔离器 I ABSTRACT Related design issues about C band broadband RF power amplifier is research in this thesis. Thesis describes the basic theory about RF power amplifier and matching in broadband; design a 4-9 GHz RF power amplifier. In view to the bad VSWR of broadband power amplifier, a C band broadband microstrip isolator use YIG is designed and Cascade the isolator to zhe input (power amplifier). Unlike conventional bull isolator, because of