单片零中频无线发射器载波泄漏消除技术研究-集成电路工程专业论文.docx

独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师的指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。尽我所知，除文中已标明引用的内容外，本论文不 包含任何其他人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出 贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明 的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即： 学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许 论文被查阅和借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部 分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段 保存和汇编本学位论文。 保 密□，在 年解密后适用本授权书。 本论文属于  不保密□。 (请在以上方框内打“√”) 学位论文作者签名： 指导教师签名： 年 月 日 年 月 日 华中 科技 大学 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 I I 摘 要 在蜂窝通信系统的射频收发器的制造工艺中，硅锗（SiGe）双极 CMOS（BiCMOS） 工艺一直占据主导地位。然而，近年来，为了满足高容量和低成本的需求，越来越 多的 RF 收发器开始采用 CMOS 技术。 直接变频发射机是一种极具吸引力的结构，相比于超外差结构，由于其固有的紧 凑性和易于集成的特点，它已被广泛应用于实现低成本低功耗高集成的收发器设计 中。然而直接变频发射机却存在一个重要的载波泄漏的缺陷，这是直接变频发射机 在设计中需要面对的主要挑战之一。 在本篇论文中，首先讲述了无线通信的发展概况，并对 WCDMA 系统进行了简 要介绍。之后对零中频的收发信机的优缺点进行了总结。并阐述了本文中的发射机 采用零中频结构的原因。在分析了发射机系统参数的基础上，讲述了高线性，高输 出功率，载波抑制的用于宽带码分多址（WCDMA）的 CMOS 直接变频发射机。 在 CDMA 制式中，由于功率控制范围较大，载波泄漏将严重影响发射机在低功 率输出下的性能，所以必须对载波泄漏进行消除。此外，过多的载波泄漏也会影响 到功率控制精度的要求和限制信道容量。采用电路技术抑制载波泄漏成为高集成直 接变频发射机的关键。本文将对直接变频发射机的载波泄漏技术进行深入探讨，分 析直接变频发射机载波泄漏的原因和来源。在此基础上提出一种校正技术，以保证 直接变频结构能够满足 WCDMA 系统发射机的性能要求。通过采用功率检测器检测， 校准电路对基带直流偏移电压进行调整，实现对载波泄漏的抑制，通过采用合适的 自动校准算法，实现在正交调制器的输出端的载波泄漏功率最小化。 关键词：零中频；载波泄漏；射频前端；WCDMA；移动通信 II II Abstract Silicon germanium (SiGe) bipolar CMOS(BiCMOS)has been the dominant process technology for RF transceivers of cellular Communication systems.However, in recent years, there is increasing interest to implement RF transceivers using CMOS technology driven by the demand for high-volume and low-cost solutions. Direct-conversion transmitter offers an attractive solution due to its inherent compactness and ease of integration compared to heterodyne architecture, and it has been widely used in integrated transceiver designs to achieve low cost and low power consumption.Hower,a major drawback of direct conversion transmitter is carrier leakage.It is one of the major challenges in the design direct conversion transmitter. In this paper,first describe the overview of the development of wireless communication and make a brief introduction