大功率LED用Al2O3陶瓷封装基板的金属化和致密化研究-材料加工工程专业论文.docx

Nanjing University of Aeronautics and Astronautics The Graduate School College of Materials Science and Technology Study on Metallization and Densification of Al2O3 Ceramic Packaging Substrate for High-power LED A Thesis in Materials Processing Engineering By Qian Fei Advised by Prof. Fu Renli Submitted in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Engineering March, 2014 承诺书 本人声明所呈交的博/硕士学位论文是本人在导师指导下 进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和 致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究 成果，也不包含为获得南京航空航天大学或其他教育机构的学 位或证书而使用过的材料。 本人授权南京航空航天大学可以将学位论文的全部或部 分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后适用本承诺书） 作者签名： 日 期： 南京航空航天大学硕士学位论文 摘 要 本文利用无玻璃体系的铜系厚膜电子浆料，采用厚膜工艺，通过烧结、还原过程实现 Al2O3 陶瓷封装基板的金属化，着重探讨了碳还原过程对金属化的影响。为了提高 Al2O3 陶瓷封装基板的 性能，尝试采用化学镀和高温热处理的方式对还原后的 Al2O3 陶瓷封装基板进行致密化处理，主要 探究了添加不同络合剂的化学镀、高温热处理温度以及保温时间对 Al2O3 陶瓷封装基板的性能影响。 采用 SEM 对金属化后和致密化后的 Al2O3 陶瓷封装基板的表面形貌进行观察，估算其表面孔隙率， 并测试和分析它们的电学和力学性能。最后，在致密化后的性能最优的 Al2O3 陶瓷封装基板的基础 上，构建一种封装基板与散热翅片钎焊连接的新型 LED 封装结构，通过计算机热仿真和实验对比分 析了该新型封装结构与普通封装结构的散热性能。研究结果表明：1）碳还原工艺的最佳反应温度为 950℃，此时 Al2O3 陶瓷封装基板的孔隙率为 16.2%，表面方阻为 3mΩ，结合强度为 230 N/cm2。2） 与添加单一络合剂的化学镀相比，添加复合络合剂的化学镀具有更好的致密化效果，最佳复合络合 剂是草酸钠和酒石酸钾钠，此时 Al2O3 陶瓷封装基板孔隙率为 8.78%，表面方阻降低 0.8 mΩ，结合 强度为 310 N/cm2。3）高温热处理时，950℃、保温时间 15min 时 Al2O3 陶瓷封装基板性能较佳，其 孔隙率约为 17.6%，表面方阻降低 0.22 mΩ，结合强度达到 290 N/cm2。4）在恒温热载荷和不同功 率热载荷的热仿真模拟中，与普通封装结构相比，钎焊连接的新型封装结构具有更好的散热性能。随 着热载荷功率的增加，新型封装结构的散热性能更突出，更适合应用于大功率 LED 封装中。5）在 热试验分析中，钎焊连接的新型封装结构的温差测试结果为 3℃，而普通封装结构的温差测试结果 为 4.5℃，无论在升温状态还是在稳定状态，新型封装结构都有较高的热传导能力。 关键词： 金属化，化学镀铜， 高温热处理，封装结构，热仿真，钎焊 i 大功率 LED 用 Al2O3 陶瓷封装基板的金属化和致密化研究 ABSTRACT The metallization of Al2O3 ceramic packaging substrate was realized by thick film technology. With a copper thick film electronic paste without glass phase as the optimized electronic slurry, the deposition of copper on Al2O3 ceramic substrate was prepared after sintering and reduction process. The effects of carbon reduction process on the metallization behavior were emphatically studied. In order to improve the performance of Al2O3