如何选择SiCMOSFET驱动负压.PDFVIP

如何选择SiC MOSFET 驱动负压 Vth 漂移现象 由于宽禁带半导体SiC 的固有特征，以及不同于Si 材料的半导体氧化 层界面特性，会引起阈值电压变化以及漂移现象。为了理解这些差异，解 释这些差异与材料本身特性的关系，评估其对应用、系统的影响，需要更 多的研究及探索。 就静态门极偏置而言，针对 Si 器件阈值特性的标准测试流程并不适用 于 SiC MOSFET。因此，一种新的测试方法——测试-偏置-测试——被用来 评估 SiC MOSFET 的BTI （Bias-Temperature Instabilities，偏压温度不 稳定性）特性。它可以区分可恢复的 Vth 漂移以及永久性的阈值漂移。这 种测量技术已经用来对最新发布的 SiC MOSFET 的阈值稳定性进行了深度研 究，结果表明英飞凌CoolSiC MOSFET Vth 稳定性在众多的器件中表现优异， 具有极低的BTI 以及非常窄的阈值漂移窗口。 英飞凌对CoolSiC MOSFET 在不同的开关条件下进行了长期的研究测试。 数据显示，长期的开关应力会引起 Vth 的缓慢增加。这一现象，在不同品 牌、不同技术的 SiC MOSFET 上均可以观测到。相同偏置条件下不同器件的 Vth 漂移值是相似的。Vth 上升会引起 Rds(on)的轻微上升，长期影响是通 态损耗会增加。 需要注意的是，器件的基本功能不会被影响，主要有： 1、耐压能力不会受影响 2、器件的可靠性等级，如抗宇宙射线能力，抵抗湿气的能力等不会受 影响。 3、Vth 漂移会对总的开关损耗有轻微影响 影响Vth 漂移的参数主要包括： 1、开关次数，包括开关频率与操作时间 2、驱动电压，主要是Vgs(off) 以下参数对开关操作引起的Vth 漂移没有影响 1、结温 2、漏源电压 3、漏极电流 4、dv/dt, di/dt Vth 漂移对应用的影响 长期来看，对于给定的Vgs, 阈值漂移的主要影响在于会增加Rds(on)。 通常来说，增加Rds(on)会增加导通损耗，进而增加结温。在计算功率循环 时，需要把这个增加的结温也考虑进去。 结温的增加是否需要格外重视取决于实际应用及工况。在很多案例中， 即便是20 年工作寿命到期后，结温的增加仍然可以忽略不计。然而在另一 些应用中结温的增加可能就会很重要。因此，在这种情况下，就需要根据 下述的设计指导进行驱动电压选择。 门极驱动电压设计指导 通过控制门极负压Vgs(off)，Vth 漂移可以被限制在一个可接受的水 平内。不论什么情况下，关断电压的上限都是 0V，同时，关断电压的下限 需要根据开通电压、开关频率、以及操作时间来选择一个合适的值，使 Rds(on)的增加限制在一定范围之内。 3.1 设计指导 Vth 的动态漂移随着开关次数的增加而增加，为了好理解，总的开关次 数被转化为 10 年内不间断工作（24 小时/7 天）的归一化的工作频率。知 道实际工作频率（kHz），目标寿命（年），以及工作寿命之内系统工作的 百分比，归一化的工作频率可以通过以下公式计算 归一化频率 fsw= 实际工作频率 fsw [kHz] ×寿命[yrs] ×工作 时间占比[%] ÷ 10 [yrs] 使用估算得到的归一化频率，可以从图 1 及图 2 中找到最小的关断电 压Vgs(off)下限值。图2 及图 3 分别适用于Vgs(on)=15V 及Vgs(on)=18V 图1 Vgs(on)=15V 时的最低关断电压Vgs(off) 图2 Vgs(on)=18V 时的最低关断电压Vgs(off) 可以通过以下的例子更好地理解上述计算方法。如一个光伏逆变器的 典型工况： 1、实际工作频率20kHz 2、目标工作寿命20 年 3、工作占比50% 4、归一化的工作频率为20 kHz * 20 yrs. * 50% / 10 yrs. = 20 kHz 如果开通电压是 15V, 关断电压的范围应在-3.6 到0V 之间（见图 1）。 如果开通电压是 18V，关断电压的范围应在在-4.4V 到0V 之间，如图 2。 3.2 安全工作区定义