多晶电池制备氮化硅薄膜研究.docVIP

多晶电池制备氮化硅薄膜研究 　　 【摘 要】对于硅片厚度较薄和较高电池效率的多晶电池领域，一种主要的趋势是减少硅片表面反射和降低多晶硅片表面的复合中心。本文提到的PECVD技术沉积的氮化硅膜被证实是一种非常有效的增强硅片表面钝化、降低多晶硅片表面反射的方法。氮化硅膜还具有良好的绝缘性、致密性、稳定性和对杂质离子的掩蔽能力, 氮化硅薄膜作为多晶硅太阳电池的减反射膜已被广泛应用。PECVD，等离子体增强化学气相沉积, 以硅烷、氨气和氮气为气源在多晶硅片上制备了具有减反射作用的氮化硅薄膜。在生产中，利用椭偏仪测量该薄膜的厚度和折射率。本文主要研究在多晶硅片上不同的工艺气体流量对氮化硅膜的膜厚和折射率的影响。 　　 【关键词】钝化;折射率;氮化硅;减反射 　　 　　 0.前言 　　在光伏领域，提高电池效率的重要途径是降低硅片表面反射率、钝化硅片表面和内部的复合中心。在硅片表面沉积一层减反射膜成为业内越来越多的方法。沉积减反射膜的方法有很多种，例如大气压化学气相沉积（APCVD）、低压化学气相沉积（LPCVD），本文研究的等离子增强化学气相沉积（PECVD）也是一种；它们各有优缺点，应用领域也各有不同。PECVD具有沉积温度低、沉积速率高、步阶覆盖性好等优点，缺点是存在粒子和化学污染，常用于低温绝缘体和钝化层。 　　近几年来，PECVD技术在设备上、工艺参数上都有了很大的改进，