机电工程系《综合课程设计》指导书.docVIP

C、P1.6:S3 减，按此键则温度设定减 1度。 D、P1.7:S4 发送，按此键将传感器的温度传送到上位机。 DS7 DS0 a10 a b 9 b c 8 c d 5 d e 4 e f 2 f g 3 g Dp 7 dp e f Dp y Amber-CA +5V DPY a g d b c dp A A O G I D 1 6 ...... ...... ...... R5 R5 R5 R5 5.1 K 5.1 K 5.1 K 5.1 K a10 DPY a g d dp a A b 9 b A b c 8 c f e d 5 d e 4 e c f 2 f g 3 g Dp 7 d p Dp y Amber-CA 7 G I D 1 6 U1 1 20 RST VCC 2 19 S4 (RXD)P3.0 P1. 7 3 18 S3 (TXD)P3.1 P1. 6 4 17 S2 XTAL2 P1. 5 5 16 S1 XTAL1 P1. 4 6 15 +5V (INT0 )P3.2 P1. 3 U2 7 14 1 1 9 1 2 8 13 1 3 1 8 DIG0 2 1 4 a 9 12 DIG1 1 1 1 6 b DIG2 6 2 0 c 1 0 11 DIG3 7 2 3 d DIG4 3 2 1 e (INT1 )P3.3 P1. 2 DIN LOAD CLK DIG0 DIG1 DIG2 DIG3 DIG4 DIG5 DIG6 DIG7 V+ (T0)P3.4 P1. 1 (AIN1 ) ISET SEG A SEG B SEG C SEG D SEG E SEG F SEG G (T1)P3.5 P1. 0 (AIN0 ) GND P3. 7 AT89 C2 051 DIG5 0 1 5 f DIG6 5 1 7 g DIG7 8 2 4 2 2 DP DOUT SEG DP R1 9.5 K 9 4 GND GND MAX7 21 9 CNG 图7 MAX7219与单片机和 LED及键盘的接口电路 4、 驱动控制电路 (1) 热电制冷介绍 热电制冷原理：半导体热电偶由 N型半导体和 P型半导体组成。当电流的极性如图 8 所示时，电子从电源负极出发，经连接片、 P型半导体、连接片、 N型半导体，最 后回到电源正极。 N型材料有多余的电子，有负温差电势。 P型材料电子不足，有 温差电势; 当电子从P型穿过结点至 N型时，其能量必然增加，而且增加的能量相当 于结点所消耗的能量。这一点可用温差降低来证明。相反，当电子从 N型流至P型 材料时，结点的温度就会升高。直接接触的热电偶电路在实际的引用中不可用， 所以用图8的连接方式来代替，实验证明，在温差电路中引入铜连接片和导线，不 会改变电路的特性。简单地说当一块 N型半导体材料和一块 P型半导体材料联结成 电偶对时，在这个电路中接通直流电流后，就能产生能量的转移，电流由 N型元件 流向P型元件的接头吸收能量，成为冷端 ; 由P型元件流向 N型元件的接头释放热量， 成为热端。吸收和放热的大小是通过电流的大小以及半导体材料 N、P的元件对数 来决定。 图8 半导体制冷原理图 (2) 驱动控制电路 光耦合双向可控硅驱动器是一种单片机输出与双向可控硅之间较理想的接口 器件，它由入和输出两部分组成， 输入部分为砷化镓发光二极管， 该二极管在 5mA～ 15mA正向电流作用下发出足够强度的红外光，触发输出部分。连接电路如图 9 所 示。输出部分为硅光敏双向可控硅，在红外线作用下可双向导通。 光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种“电 - 光- 电”转换器件。它由发 光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一壳体内，彼此间用透明 绝缘体隔离。发光源的引脚为输入部分，受光器的引脚为输出端，常见的发光源 为发光二极管，受光器为光敏二极管、光敏三极管等。 在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大 小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光 器输出端引出，这样就实现了“电 - 光- 电”转换。在光电耦合器的内部，由于发 光管和受光器之间的耦合电容很小，使用共模输入电压通过极间耦合电容对输出 电流的影响很小，因而共模抑制比很高。 在发光二极管上提供一个偏置电流，再把信号电压通过电阻耦合到发光二极 管上，这样光电晶体管接收到的是在偏置电流上增、减变化的光信号，其输出电 流将随输入的信号电压作线性变化。光电耦合器也可工作在开关状态，传输脉冲 信号。在传输脉冲信号是，输入信号和输出信号之间存在一定的延时，不同结构 的光电耦合器输入、输出延时时间相差很大。 +5V U9