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1第三节_双极型晶体管
1
第三节 双极型三极管
三极管的结构
三极管中载流子的运动和电流分配关系
三极管的特性曲线
三极管的主要参数
总目录
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2
半导体三极管
晶体管 (transistor)
双极型三极管或简称三极管
制作材料:
分类 :
它们通常是组成各种电子电路的核心器件。
双极结型又称为 :
硅或锗
NPN型
PNP型
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3
一、 三极管的结构
三个区
NPN型三极管的结构和符号
N
P
N
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4
发射极电流
二、三极管中载流子的运动和电流分配关系
发射:
发射区大量电子向基区发射。
2. 复合和扩散:
电子在基区中复合扩散。
3. 收集:
将扩散过来的电子收集到集电极。
同时形成反向饱和电流ICBO 。
IE
IC
IB
ICN
IEN
IBN
ICBO
集电极电流
基极电流
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动画
5
IC = ICN + ICBO
IE = ICN + IBN
将 代入IC = ICN + ICBO 得
当ICBO IC时,可得
IEN = ICN + IBN
IE = IEN
IE = IC + IB
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6
IE = IC + IB
可得
当ICEO IC时,可得
ICEO =( 1+ β )ICBO
IE = IC + IB
IC ≈ βIB
IE =( 1+ β )IB
ICEO称为穿透电流。
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7
各参数含义:
:共基直流电流放大系数。
:共射直流电流放大系数。
:集电极与发射极间穿透电流。
:共基交流电流放大系数。
:共射交流电流放大系数。
α 和 β 满足
或
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8
三、三极管的特性曲线
1. 输入特性
UCE=0V
UCE=2V
当UCE大于某一数值后,各条输入特性十分密集,
通常用UCE 1 时的一条输入特性来代表。
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9
2. 输出特性
IC=f(UCE)
IB=常数
饱和区
放
大
区
截止区:
IB ≤ 0的区域,IC ≈ 0 ,
发射结和集电结都反偏。
2. 放大区:
发射结正偏集电结反偏ΔIC = βΔIB
3. 饱和区:
发射结和集电结都正偏,UCE较小,IC 基本不随IB 而变化。
当UCE = UBE 时,为临界饱和;当UCE UBE 时过饱和。
截止区
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动画
10
发射结反向偏置,
集电结反向偏置,
三极管工作在截止区,
可调换 EB 极性。
发射结反向偏置,
三极管工作在截止区,
可调换 EC 极性,
或将VT更换为PNP型。
两PN结均正偏三极管工作在饱和区。
[例1.3.1] 判断图示各电路中三极管的工作状态。
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11
EB = IB Rb + UBE
IB
IC
IB = 46.5 μA
β IB = 2.3 mA
假设三极管饱和,
UCES = 0.3 V
则
ICS =
EC - UCES
Rc
= 4.85 mA
β IB ICS
假设不成立,
三极管工作在放大区。
或者
IC = β IB = 2.3 mA
UCE = EC - IC Rc = 5.4 V
发射结正偏集电结反偏,
三极管工作在放大区。
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12
EB = IB Rb + UBE
IB
IC
IB = 465 μA
β IB = 23 mA
假设三极管饱和,
UCES = 0.3 V
则
ICS =
EC - UCES
Rc
= 4.85 mA
β IB ICS
假设成立,
三极管工作在饱和区。
或者
IC = β IB = 23 mA
UCE = EC - IC Rc = -36 V
发射结正偏集电结正偏,
三极管工作在饱和区。
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13
四、 三极管的主要参数
2. 反向饱和电流
共基电流放大系数α
集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO
集电极和发射极之间的穿透电流 ICEO
两者满足
1. 电流放大系数
共射电流放大系数β
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14
3. 极限参数
a. 集电极最大允许电流 ICM
三极管的安全工作区
过流区
集射反向击穿电压U(BR)CEO
集基反向击穿电压U(BR)CBO
ICUCE=PCM
过压区
安 全
工作区
ICM
U(BR)CEO
c. 极间反向击穿电压
b. 集电极最大允许耗散功率 PCM
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15
下页
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五、 PNP型三极管
PNP型三极管的放大原理与NPN型基本相同,
但外加电源的极性相反。
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16
在由PNP三极管组成的放大电路中,
三极管中各极电流和电压的实际方向如图(a)所
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