章节晶闸管跟其运用.pptVIP

第 10 章 晶闸管及其应用 10.1 晶闸管的结构和工作原理 图 10 – 1 晶闸管的结构及符号 图 10-2 晶闸管内部结构示意图 图 10 –3 晶闸管实验电路 表 10.1 晶闸管导通与判断实验 10.2 单相可控整流电路 图 10- 4 单相半波可控整流电路图 图 10 –5波形图 图 10 –6 单相半控桥式整流电路 (a) 电路； (b) 波形 10.3 晶闸管的触发电路 图 10 – 7 单结晶体管的原理结构（a） 结构示意; （b） 等效电路; （c） 图形符号 图 10 - 8单结晶体管试验电路及伏安特性曲线（a） 测试电路； （b） 单结管的伏安特性曲线 图 10- 9 单结晶体管自激振荡电路（a） 原理电路； （b） 波形图 图 10- 10 单结管同步触发电路 (a) 电路； (b) 波形 10.4 晶闸管的保护 表 10.2 是RSL系列快速熔断器的规格  图 10—11 快速熔断器 图 10 –12 快速熔断器 图 10-13 快速熔断器 图 10 –14 晶闸管的过电压保护 10.5 双向晶闸管简介 图 10-15 双向晶闸管的符号 10.6 晶闸管应用实例 随着Ue的增大，反向漏电流减小。当Ue=UA时，等效电路中二极管的电压为零，则Ie=0；再增大Ue，PN结开始承受正向电压，发射极正向漏电流增大，当Ue=UP=UA+UV(UV为二极管正向压降)时，等效二极管导通，单结晶体管由截止变为导通，此时P点叫峰点，P点所对应的电压叫峰点电压， 所对应的电流叫峰点电流。所以，峰点电压UP是单结晶体管由截止变为导通所需要的最小发射极电压。  （2） 负阻区PV段。 当发射极电压增大到峰点电压UP时，等效二极管导通， 这时发射极电流Ie开始剧增，发射极向eb1区间注入大量空穴载流子， rb1值变小，于是等效电路A点的电压变小，Ie进一步增大，在元件内部形成强烈正反馈，直到rb1减至最小值5～20Ω时，UA也减到最小值，形成PV段。在PV段动态电阻ΔReb1=ΔUe/ΔIe为负值，又称为负阻区，曲线上V点为谷点， V点对应的电压、电流分别为谷点电压UV和谷点电流IV。 （3） 饱合VN段。 当rb1减小到最小值时，电路工作在特性曲线V点处，如再增大发射极电流，发射极电压将缓慢增大，动态电阻恢复到正常值，单结管处于饱和导通状态。所以谷点电压是维持单结管导通的最小发射极电压。  总之，单结晶体管伏安特性曲线大致可分为三个区：截止区、负阻区和饱和区，当Ue＜UP时单结管处于截止状态； 当Ue＞UP时单结管由负阻区极快地进入饱和区；当Ue＞UV时单结管处于饱和状态。  国产单结管的型号有BT31、BT33、BT35等，其中B表示半导体，T表示特种管，3表示有3个电极，第四个数表示耗散功率为100 mW、300mW、500 mW。 二、单结晶体管触发电路 利用单结晶体管的负阻特性及RC的充、放电特性可组成单结晶体管自激振荡电路，如图 10 - 9 所示。 假定在接通直流电源Ubb之前，电容C上没有电压，一旦接通Ubb，电源立即通过R对电容充电，电容器两端电压按指数函数规律增长。当uC=UP时，单结晶体管立即导通，于是电容C立即就向输出电阻R1放电。由于R1很小（50～100Ω），所以放电非常快，在输出电阻R1上形成尖脉冲电压。当uC下降到谷点电压UV之后，单结晶体管截止，发射极电流几乎为零，输出尖脉冲停止，电容C再次充电。如此周而复始，在电容C上形成了类似锯齿的锯齿波，在输出端R1上形成了一系列的尖脉冲。  改变可变电阻R或电容C均能改变脉冲的输出时刻，一般都是通过改变R实现的，因为改变R容易且投资又小。一般C值取0.1～0.47 μF。  C值太小会造成触发功率不够，C值过大最小控制角增大， 移相范围变小。  R1在50～100 Ω之间取值为宜，R值太小，则放电太快， 脉冲太窄且幅度小，不利于触发晶闸管，R1太大，将有可能发生由于流过未导通单结管的漏电流在R1上产生的“残压”太大， 而导致晶闸管误导通。  R2是温度补偿电阻，因峰点电压UP=ηUbb＋UV， 分压比η不随温度的变化而变化， 但UV随温度上升而下降。所以峰点电压随温度上升而下降，将会引起UP不稳定，影响控制角。 在电路中接入不随温度变化的电阻R2，当