低电压InGaZnO双电层薄膜晶体管及其阈值电压调控-材料物理与化学专业论文.docx

万方数据 万方数据 Dissertation Submitted to Hebei University of Technology for The Master Degree of Materials Physics and Chemistry LOW-VOLTAGE InGaZnO ELECTRIC-DOUBLE-LAYER THIN FLIM TRANSISTORS AND THE MODULATION OF THRESHOLD VOLTAGE by Liu Ruichao Supervisor: S.Engr. Li Runyuan A.Prof. Zhang Hongliang March 2015 摘 要 InGaZnO 薄膜晶体管（IGZO TFT），由于具有高迁移率（能达到 10cm2V?1s?1）、 全透明、低温制备和非晶沟道结构等优势，在平板显示和传感器领域具有广泛的应用 价值。传统致密的栅介质通常具有较小的电容，导致 IGZO TFT 的工作电压较高（通 常大于 10V），这限制了 IGZO TFT 在便携式产品中的应用。SiO2 和 Al2O3 质子导体膜 能够在栅介质/半导体界面处形成大的双电层电容（EDLC）（≥1μFcm-2），以 SiO2 和 Al2O3 质子导体膜为栅介质的 IGZO 双电层薄膜晶体管（IGZO EDLT）的工作电压能 降到 3V 以内。本文主要包括以下内容： （1）通过等离子体化学气相沉积制备 SiO2 和 Al2O3 质子导体膜，SiO2 质子导体 膜的 EDLC 高达 4.6μFcm-2，Al2O3 质子导体膜的 EDLC 高达 1μFcm-2。研究了工作气 压对 Al2O3 质子导体膜的 EDLC 的影响，工作气压 40Pa 下制备的 Al2O3 质子导体膜有 较好的性能。 （2）使用 SiO2 质子导体膜为栅介质，通过两步掩膜法和一步掩膜法沉积沟道和 源-漏极，制备 IGZO EDLT，并改变 IGZO 沟道层厚度调控阈值电压。采用两步掩膜 法制备的 IGZO EDLT 的工作电压≤2V，实现了低电压工作，随着沟道厚度由 91nm 减少到 40nm，阈值电压由 0.22V 增加到 0.75V。采用一步掩膜法制备的不同沟道厚度 的 IGZO EDLT，其工作电压为 1.5V，同样实现了低电压工作，随着沟道厚度由 45nm 减少到 8nm，阈值电压由-0.64V 增加到 0.65V。 （3）研究了不同工作气压下制备的 Al2O3 质子导体膜栅介质对 IGZO EDLT 工作 电压的影响。10Pa 和 20Pa 的工作气压下制备的 Al2O3 质子导体膜为栅介质的 IGZO EDLT 的工作电压分别为 14V 和 10V，不能实现低电压工作。40Pa 工作气压下制备的 Al2O3 质子导体膜为栅介质的 IGZO EDLT 具有 3V 的低工作电压。通过改变沟道厚度 调控了 Al2O3 质子导体膜为栅介质的 IGZO EDLT 的阈值电压，当沟道厚度由 45nm 减 少到 8nm，阈值电压由-0.05V 增加到 0.82V。 关键字：质子导体膜，低电压，InGaZnO 沟道，双电层，阈值电压 I II ABSTRACT The InGaZnO thin- film transistors (IGZO TFTs) have many wide applications in the fields of flat panel displays and senors due to their high field-effect mobility (can up to 10cm2V-1s-1), high optical transparence in the visible range, amorphous state in nature and low-temperature fabrication. In general, the IGZO TFTs gated by conventional dense dielectrics operate at a relatively high voltage (＞10V) due to low gate speci?c capacitance of dielectrics, which limits applications in portable devices. The SiO2 and Al2O3 proton conducting films have the ability to generate large electric-double- layer capacitance (EDLC) (≥1μFc