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改性羰基铁粉 氯丁橡胶复合薄膜的制备及吸波特性-化学工程与技术专业论文.docx

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改性羰基铁粉 氯丁橡胶复合薄膜的制备及吸波特性-化学工程与技术专业论文

1Classified Index:O614.8 +1 1 .: 661.872.922 Dissertation for the Master Degree in Engineering PREPARATION AND MICROWAVE ABSORBING PROPERTIES OF MODIFIED CARBONYL IRON POWDER-POLYCHLOROPRENE COMPOSITE FILMS Candidate:Ta Candidate: Tan Yanjiang Supervisor: Prof. Han Xijia Academic Degree Applied for: Master of Engi Specialty: Chemical Engi Affiliation: Department of Appli Date of Defense: July, 2007 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institut neering and Technology ed Chemistry e of Technology 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 摘 要 本文采用湿法预处理对羰基铁粉表面进行硅烷偶联剂改性,采用直接共 混法制备了改性羰基铁粉-氯丁橡胶复合薄膜吸波材料;根据电磁波传输特 性和阻抗匹配原理设计制备了三层复合薄膜。通过 X-射线衍射、振动样品 磁强计、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、矢量网络分析等手段对材料的 结构和性能进行了分析,并对吸波机理进行了初步探讨。 选用乙烯基三甲氧基硅烷对使用的羰基铁粉进行表面有机改性,研究表 明:偶联剂低聚物覆盖在羰基铁粉表面降低了颗粒的团聚程度,增加了与氯 丁橡胶的润湿性。改性后矫顽力和剩余磁化强度略有增大,饱和磁化强度略 有减小,对羰基铁粉磁性能的影响不大,但改性后羰基铁粉复介电常数减 小,与空间阻抗的匹配性得到改善,有利于电磁波进入材料内部而损耗。 在成膜体系中加入有机膨润土防沉剂后,形成触变网络结构,羰基铁粉 在氯丁橡胶中的分散性得到改善,使单层复合薄膜正反两面吸收效果趋于相 同,薄膜的均一性增强。 实验制备的改性羰基铁粉-氯丁橡胶单层复合薄膜厚度为 0.68 mm、面 密度为 1.3 kg·m-2时,有最大吸收-22.67 dB,吸收率大于-8 dB的频带宽度达 到 4.55 GHz;设计制备了由透波层、过渡吸收层和强磁损耗层组成的三层 复合薄膜,透波层添加少量石墨减少了电磁波的镜面反射,起到阻抗匹配的 效果;过渡吸收层由石墨和改性羰基铁粉混合以调解电磁参数与强磁损耗层 组成磁损耗渐增结构,增加电磁波的损耗。制备的三层复合薄膜厚度 为 0.64 mm、面密度为 0.71 kg·m-2时,2~18 GHz频率范围内出现两个吸收峰, 13.88 GHz达到最大吸收-13.45 dB,吸收率大于-8 dB的频带宽度达到 5.51 GHz。采用透波层、过渡吸收层和强磁损耗层组成的三层复合薄膜有利于对 电磁波的吸收。 经外加磁场磁化处理的单层复合薄膜磁各向异性增强,使磁性颗粒磁矩 规则排列,垂直磁化使薄膜的吸波性能显著增强,关于磁化处理对复合薄膜 吸波性能的影响规律还需要在以后的工作中进一步研究。 关键词 羰基铁粉;氯丁橡胶;复合薄膜;吸波性能 I - Abstract Carbonyl iron powder was superficially modified by silane coupling agent. Microwave absorbing composite films, containing polychloroprene and carbonyl iron powder, were prepared by direct co-blending. According to impedance matching principle and electromagnetic spreading regulation, a three-layer composite film was designed. The structure and performance of the prepared materials were characterized by X-Ray Diffraction, Scanning Electron Microscope, Transmission Electron Microscope, Vibrating Sample Magnetometer and Vector Network Analyzer etc, and the micro

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