氮化镓基发光二极管抗静电性能改进的研究-材料物理与化学专业论文.docx

摘要 摘要 氮化镓基 氮化镓基发光二极管抗静电性能改进的研究 摘要 近年来，GaN 基发光二极管(Light emitting Diode)已经成功实现商业化并在交 通信号灯、全色彩显示、液晶显示屏背光、白光照明 LED 等很多领域内得到广泛 应用。随着应用领域的不断扩大，对器件的可靠性要求不断提高，而由于蓝宝石 衬底的绝缘特性，GaN 基 LED 经常受到静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)而 造成的损害，导致器件性能降低，使用寿命减少甚至完全破坏。因此，提高发光 二极管的抗静电放电放电性能，对器件的可靠性有着重要影响。 提高 GaN 基 LED 的 ESD 性能的基本思路主要有两种：一是为器件增加并联 分流电路，减少静电放电时流经器件的电流；二是提高 GaN 材料的结晶质量，降 低缺陷密度，增强电流扩展效果，获得更均匀、更小的局部电流密度。对于前者， 可以通过倒装工艺集成硅齐纳二极管(Si –based Zener Diode)或制作内置 GaN 基肖 特基二极管（Schottky Diode）来实现。这些方法虽然可以达到提高发光二极管 ESD 性能的目的，但是会增大工艺复杂度，提高生产成本。 本文主要通过第二种思路，通过调整 MOCVD 外延生长工艺，优化提高外延 层的结晶质量，降低缺陷，增强电流扩展效果来提高 ESD 性能。 本文的主要工作包括： (1)通过实验研究了 InGaN/GaN 超晶格结构的电流扩展作用对提高 GaN 基 LED 的 ESD 性能的影响，发现在超晶格周期数为 8 时，效果较好； (2)实验研究了高温低温分步生长 p-GaN 外延层的生长方法对发光效率和 ESD 性能的影响； 通过实验研究，实现了对器件 ESD 性能的有效提升。 关键词： 氮化镓 发光二极管 静电保护 MOCVD Ab Abstract 氮化镓基 氮化镓基发光二极管抗静电性能改进的研究 Abstract In recent years, GaN based light emitting diode has been commercialized successfully and find wild applications in areas such as traffic signals, full-color displays, the backlight of liquid crystal displays(LCD) and LEDs for white lighting. With the range of applications still growing ,the requirements for the reliability of the devices has improved. Because of the insulating property of the sapphire substrate, light emitting diodes suffer a lot from electrostatic discharge, which may cause performance degradation and decrease of lifetime of the device or even totally destroy the device. Therefore, it is of great importance to improve the reliability of LEDs by strengthening the electrostatic discharge(ESD) tolerance. There are two main ideas about improving the tolerance of electro-static discharge: one is decreasing the current flowing through the LED by adding a circuit in parallel with the LED to bypass the current, the other one is to to obtain a more uniform, smaller local current density by improving the crystalline quality of the GaN material, reducing the defect density and enhancing the current spreading effect. For the former , it can be