钙钛矿结构金属氧化物薄膜的电阻开关性能研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

摘 摘 要 钙钛矿结构金属氧化物薄膜的电阻开关性研究 钙钛矿结构金属氧化物薄膜的电阻开关性研究 I I 摘 要 随着传统存储器件的尺寸越来越达到其缩放极限，下一代新型的非易失性存储器件 应运而生，其中包括相变存储器、聚合体存储器、磁存储器和电阻存储器。在这些存储 器中，电阻随机存取存储器由于其具有结构简单、存储密度高、低功耗、写入和擦除速 度过程非常快等优越的特性成为其中最具竞争力的候选对象。近年来，钙钛矿金属氧化 物，比如La0.67Sr0.33MnO3 (LCMO)和Pr0.67Ca0.33MnO3 (PCMO), SrTiO3 (STO)等，在未来非 挥发性存储器的应用上面引起了科学家极大的研究兴趣。然而，RRAM的微观机制目前 还一直存在争议，理论分析还较相当欠缺，但依然有比较大的研究空间，本文通过实验 主要研究LSMO薄膜电阻开关特性，并获得了一些有意义的实验结果。 在第二章中，我们采用脉冲激光薄膜沉积技术制备了LSMO薄膜，利用真空直流溅 射仪蒸镀Au纳米颗粒于LSMO薄膜的表面，并利用X射线衍射仪( XRD) 、原子力显微镜 （AFM）等分析手段分别对其表面形貌、微观结构表征。同时我们还利用电化学工作站 （CHI660B）测量了电学性能，并研究了其电阻开关性质。 在第三章中，采用脉冲激光沉积技术在SnO2: F（FTO）衬底上制备了La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO)薄膜。室温下利用直流电压对Au/LSMO/FTO三明治结构的器件进行了电化学测 试。结果显示样品具有明显的双极性电阻开关性能。通过对I - V特性曲线进行分析，认 为在高场区，电阻开关的高低阻态现象由电子陷阱中心分布的不对称引起的空间电荷限 制电流理论来解释。 在第四章中，我们研究了不同上电极面积Au/LSMO/FTO异质结构的I-V特性曲线， 惊奇地发现了随着上电极面积的增加，回线窗口逐渐变小，这主要由于在低电阻状态下， 电阻值几乎不变，然而在高电阻状态下，电阻值变化较大。这种现象可用Filament理论 来解释，即在低电阻状态下，是一种丝传导，而在高电阻状态下，由于导电丝的断裂， 变成了均匀传导，重新回到了高阻态。因此，我们认为界面类型传导在LSMO薄膜的电 阻开关性能中可能起到关键的作用。 关键词：LSMO；电阻开关；导电丝；空间限制电流 ABSTRACT While traditional memories are approaching their scaling limits, the next generation nonvolatile memory has attracted extensive attention which was included magnetic random access memory (MRAM), phase change memory (PRAM) and resistance change memory (RRAM). The resistive random access memory(RRAM) is one of the promising candidates due to its superior characteristics including simple structure，high density integration, low power consumption, and fast write/erase operation in these memory devices . Recently, resistive switching in complex Perovskite oxides, such as La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO), Pr0.67Ca0.33MnO3 (PCMO) and SrTiO3, have induced great interest for a possible application in nonvolatile memory devices. However, many models leave unanswered questions. Despite its fundamental importance, our understanding of the underlying physics of the RS effect is still poor. In the letter, we have mostly investigated the resistive switching properties of LSMO nanostructure grain films, and obtai