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- 2018-12-14 发布于湖北
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第10章节-化学气相沉积跟电介质薄膜新
半导体制造技术导论(第二版)
第十章 化学气相沉积与电介质薄膜
白雪飞
中国科学技术大学电子科学与技术系
提纲
• 简介
• 化学气相沉积
• 电介质薄膜的应用
• 电介质薄膜特性
• 电介质化学气相沉积工艺
• 旋涂硅玻璃
• 高密度等离子体化学气相沉积
• 电介质化学气相沉积反应室清洁
• 工艺制程趋势与故障排除
• 化学气相沉积工艺发展趋势
2
简 介
电介质薄膜
• 电介质薄膜的种类
– 加热生长薄膜:消耗硅衬底,质量好
– 沉积薄膜:不消耗硅衬底,质量不如加热生长薄膜好
• 电介质薄膜的应用
– 电介质隔离
• 浅沟槽隔离(STI)、栅极侧壁间隔层、多层金属互连的电介质隔离
• 金属沉积前电介质层(PMD, ILD0)
• 金属层间电介质层(IMD, ILD1―ILDn-1)
– 离子注入阻挡层、掺杂源、抗反射镀膜层(ARC)、硬掩膜、覆盖层
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