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LTPS工艺流程与技术;a-Si LTPS, and process;LTPS :Low Temperature Poly-Silicon;4;a-Si TFT LTPS TFT;6;7;LTPSOLED;9;10;11;+ doping;Key process of LTPS;CVD技术;15;去氢工艺;缓冲层作用: 1.防止玻璃中的金属离子(铝,钡,钠等)在热工艺中扩散到LTPS的有源区,通过缓冲层厚度或沉积条件可以改善多晶硅背面的质量; 2.有利于降低热传导,减缓被激光加热的硅冷却速率,利于硅的结晶;;四乙氧基硅烷 ; high cost;TEOS oxide具有低针孔密度，低氢氧含量，良好的台阶覆盖性。;SiNx: 1.具有高的击穿电压特性 2.具备自氢化修补功能 3.与多晶硅的界面存在过多的缺陷和陷阱，易产生载流子捕获缺陷和 阈值电压漂移，可通过SiO2/SiNx克服;一般采用SiNx，SiO2,而SiO2/SiNx结构可以得到良好的电学特性，和氢化效 果;24;结晶技术;ELA (Excimer Laser Annel);晶化效果;Partially melting regime;MICMILC (Metal Induced Lateral Crystallization);SPC（solid phase crystallization）;SPC;Comparison of different backplane;离子注入技术;离子注入机离子束呈细线状或点状,难以得到大的电流束,采取扫描方式注入,产能低;通过质量分析装置控制注入剂量,均匀度2%;LDD;LDD作用：抑制“热载流子效应” 以较低的注入量在源极/漏极端与沟道之间掺杂,形成一浓度缓冲区,等效串联了一个大电阻,水平方向电场减少并降低了电场加速引起的碰撞电离产生的热载流子几率 注入剂量过少则造成串联电阻过高,使迁移率下降;注入剂量过多则会失去降低漏极端边缘电场强度的功能.;;Repair broken bonds damaged in ion doping Increase conductance of doping area;氢化处理的目的 多晶硅晶粒间存在粒界态，多晶硅与氧化层间存在界面态，影响晶体管电性。氢化处理以氢原子填补多晶硅原子的未結合鍵或未飽和鍵，粒界态，氧化层缺陷，以及界面态，来减少不稳态数目，提升电特性：迁移率，阈值电压均匀性等。;40;41;LTPS的主要设备;OLED 蒸镀封装;44;FFS( Fringe-Field Switching )IPS(In-Plane Switching) ;LTPS-TN;Gate;玻璃基板;RTA System Overview;沉积缓冲层\有源层;多晶硅晶化;P-Si刻蚀(mask1);P-Si刻蚀(mask1);PR;沟道掺杂;;N+ 掺杂(mask3);GATE Insulator;PR;Gate 刻蚀(干刻);Gate 刻蚀(干刻);LDD掺杂 Gate掩膜;PR;P+ 掺杂;ILD成膜与活化???氢化）;Via1(mask6);通孔刻蚀;通孔刻蚀;SD层(mask7);Power↓ Ar ↓ 成膜温度↓;SD 干刻;Passivation层(mask8);Passivation层;平坦化层(mask9);平坦化层;像素电极;电极刻蚀(mask10);反射电极;电极刻蚀(mask10);电极刻蚀(mask10);PDL/Spacer层(mask11/12)for OLED;PDL/Spacer层(mask11/12);ITO1电极;PV2电极;ITO2电极;Cell工程;OLED-CELL-MODULE process;QA