正电子湮没技术研究ZnO晶体结构的试验原理.PDF

ZnO ZnO 正电子湮没技术研究ZZnnOO晶体结构的实验原理 许楠楠 李公平 李天晶 (兰州大学核科学与技术学院 兰州 730000) 摘 要：正电子对原子尺寸的缺陷十分敏感，被广泛用于研究固体中缺陷。本文 将讨论应用正电子技术研究ZnO晶体结构缺陷实验上的原理。 关键词：正电子技术，ZnO内部结构，实验原理 1 1 11 引言 ZnO是新兴的半导体材料，具有禁带宽度高、无毒、原料易得、抗辐照能力强 等优点，是进来研究的热点。 正电子湮没技术（PositronAnnihilationTechnique,PAT）是利用正电子与物质的 相互作用，获得有关凝聚态物质内部微观结构缺陷的实验技术。正电子对原子尺 寸的缺陷如空位、空位团、错位和微空洞等十分敏感，由于正电子湮没技术具有 设备简单，探测灵敏度高，非破坏性，适用于各种不同材料等优点，成为研究固 【 】 1 体电子机构、固体缺陷和相变的灵敏探针，在材料科学中得到了广泛的应用 。 应用正电子技术研究ZnO晶体的内部结构，将给出比一般方法更精细的结果。 2 2 22 正电子技术的基本原理 正电子是电子的反粒子，除了电性相反外，其它特征与电子均相同。当高能正 1ps 电子从放射源射到凝聚态物质中时，它们首先在约 的时间内通过与物质中原 子发生如电子电离、等离子体激发、正电子电子碰撞、正电子 声子相互转化等- - 【 】 0.025eV 2 元激发迅速损失能量并慢化至热能（ ） ，有关正电子热化的工作，理论 工作者的一致意见是，在固体中正电子在湮没之前将达到热平衡，温度降低到几 【 】 【 】 3 4 十度 。正电子在材料中的深度分布近似满足下面的指数关系 ： P(x)=αe−αx 3 ρ[g/cm ] −1 α ≐16 cm 1.4 E [MeV] max 式中ρ为固体密度，E 为入射正电子的最大能量，正电子注入的平均射程在 max 10 100μm ～ 之间变化，这就保证了正电子可以达到样品材料体内。 正电子在热平衡存在一段时间后，最终与周围介质中的一个电子湮没。由量子 γ 电动力学导出的选择定则知，单 湮没只有存在着能吸收反冲动量的第三个粒子 3γ 2γ 时才是可能的，几率可以忽略。发生 湮没的按自旋平均截面是发生 湮没的 0.27% 2γ