荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究_胡丰伟.docVIP

荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究_胡丰伟 物理学报ActaPhys.Sin.Vol.62,No.21(2013)218401 荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究* 胡丰伟1)包伯成1)?武花干2)王春丽1) 1)(常州大学信息科学与工程学院,常州213164) 2)(南京理工大学电子工程系,南京210094) (2013年6月7日收到;2013年7月21日收到修改稿) 忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件.根据?-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻 器等效电路分析模型,以三次非线性荷控忆阻器模型为例,对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析.结果表明:荷控忆阻器的伏安关系具有斜体“8”字形紧磁滞回线特性,随其参数符号的不同,荷控忆阻器呈现出无源性和有源性,导致其电路特性发生相应的变化;相比无源荷控忆阻器,有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用.制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路,实验测量结果很好地验证了理论分析结果. 关键词:荷控忆阻器,等效电路,伏安关系,电路特性 PACS:84.30.Bv,84.30.?r,05.45.?aDOI:10.7498/aps.62.218401 察到忆阻电路所产生的物理现象,进而验证理论分 1引言 上世纪70年代初,Chua[1]根据电路基本变量 组合完备性原理,预测了直接关联电荷和磁通两个 变量的基本电路元件——忆阻器的存在性.忆阻 器是一种具有记忆功能的非线性电阻,可以记忆流 经它的电荷数量,通过控制电流的变化可改变其阻 值[1,2],理论上描述了除电阻器、电容器和电感器 之外的第四种基本电路元件.直到2008年,Strukov 等[3]才成功制作出了基于金属和金属氧化物的忆 阻器.忆阻元件使得基础元件在现实中增加到了四 个,为电路设计及应用提供了全新的研究空间.为 了对新时代的电路与系统作理论上的进一步完善, 人们在忆阻器物理实现[4,5]、忆阻器建模与电路特 性分析[6?8]、忆阻混沌电路动力学分析与等效电 路实现[9?16]、忆阻应用电路设计及其系统特性分 析[17]、忆阻器物理机理分析[18?20]等各个方面开 展了卓有成效的研究工作.通过对忆阻电路的模型 分析、等效电路实现,可以了解在电路中引入忆阻 器后电路特性的变化,可以在简单的实验环境下观析的正确性.忆阻器分为荷控忆阻器和磁控忆阻器两大类,其忆阻或忆导仅为电荷或磁通的函数[21].磁控忆阻器等效电路实现相对较容易,主要原因是大多数运算放大器、乘法器等器件比较容易实现电压的加、减、乘、除、积分和微分等功能运算,且容易接入外部电路中而不会改变外部电路电气性能.因此,关于用于电路分析的磁控忆阻器等效电路已有很多文献报道[10?13].惠普实验室在物理上实现的忆阻器实质上是一种荷控忆阻器[3],与磁控忆阻器相比,荷控忆阻器更贴近于物理器件,具有更为实际的研究价值.然而,在目前对于荷控忆阻器的研究成果报道中,一般为理论上的研究成果[22?24],尚无比较成熟的等效电路分析模型及电路实验等方面的研究成果报道.从电路理论的对偶性来说,既然有相对成熟的用于磁控忆阻器的电路特性分析和实验验证的等效电路[10?13],自然也需要有用于荷控忆阻器的电路特性分析和实验验证的等效电路.但由于实现电流功能运算的器件较少,一般需要通过电路转换,*国家自然科学基金(批准号和江苏省自然科学基金(批准号:BK2012583)资助的课题. ?通讯作者.E-mail:mervinbao@126.com c2013中国物理学会?ChinesePhysicalSociety218401-1 物理学报ActaPhys.Sin.Vol. 62,No.21(2013)218401 把电流转换成电压后才能进行运算处理,因此实现荷控忆阻器等效电路较难,且其等效电路不易接入外部电路中.本文采用型号为AD844电流传输器实现电压-电流和电流-电压之间的转换,建立用于荷控忆阻器特性分析的等效电路,开展荷控忆阻器电路特性的实验验证.本文以荷控忆阻器的?–q关系式的泰勒级数形式构建荷控忆阻器等效电路分析模型,并以三次非线性荷控忆阻器模型为例,对不同参数条件下的荷控忆阻器进行伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析;进一步地,构建荷控忆器特性分析等效电路,进行电路实验测量,以此来验证理论分析结果. M(